Neue 1200-V-SiC-MOSFET-Familie AOS bietet jetzt auch MOSFETs aus Siliziumkarbid

Die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter von AOS sind auf die Industrie und den Automobilbereich ausgelegt.
Die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter von AOS sind auf die Industrie und den Automobilbereich ausgelegt.

Nach erfolgreichen Langzeittests mit Siliziumkarbid-Technologie erweitert Alpha und Omega Semiconductor sein Programm um SiC-MOSFETs. Die Firma beginnt mit 1200V-MOSFETs mit 65mOhm Durchgangswiderstand eine neue SiC-Familie, Wide-Bandgap-MOSFETs aus Galliumnitrid sind bereits im Portfolio.

Die SiC-Technik des kalifornischen Halbleiterunternehmens AOS ist speziell auf den Industrie- und Automobilmarkt ausgerichtet und soll Kunden höhere Wirkungsgrade und Leistungsdichten im Vergleich zu bestehenden Siliziumlösungen ermöglichen.

Die SiC-MOSFETS sind für sehr geringe AC- als auch von DC-Leistungsverlusten optimiert. Durch ein Design mit niedrigem Gate-Widerstand (RG) in Kombination mit geringer Zunahme des On-Widerstands (RDSon) über die Temperatur kann die SiC-Technologie sehr hohe Wirkungsgrade über einen breiten Bereich von Anwendungsschaltfrequenzen und -temperaturen erreichen. Der höhere Wirkungsgrad kann laut Unternehmensangaben zu erheblich reduzierten Systemkosten und Einsparungen führen, das weniger Bauelementen benötigt werden. Zu den möglichen industriellen Anwendungen zählen unter anderem Solarwechselrichter, USV-Systeme und EV-Wechselrichter- und Ladesysteme.

Das erste aus derSiC-Familie erhältliche Produkt ist der AOK065V120X2, ein 1200V-65m-SiC-MOSFET in einem TO-247-3L-Gehäuse. Der Baustein ist für eine Gate-Ansteuerung mit -5 V / +15 V ausgelegt, was eine größtmögliche Kompatibilität mit bestehenden Hochspannungs-IGBT- und SiC-Gate-Treibern ermöglicht. Der Betrieb mit einem unipolaren Treiber ist bei entsprechend optimiertem Systemdesign ebenfalls möglich. Weitere Vorteile der SiC-Plattform sollen eine robuste UIS-Fähigkeit, verbesserte Kurzschlussleistung und eine hohe maximale Betriebstemperatur von 175°C sein.

Die aSiC-Bauelemente ergänzen bereits früher auf den Markt gebrachte 650-V-GaN-Plattform. AOS will das SiC-MOSFET-Portfolio im Laufe dieses Jahres um eine breitere Palette von On-Widerstands- und zusätzlichen Gehäuseoptionen mit voller AEC-Q101-Qualifizierung erweitern.