Für hohe Temperaturen 800-V-Thyristor zur Oberflächenmontage

Standardmäßig wird der Baustein im High-Voltage-D³PAK-Gehäuse geliefert.
Standardmäßig wird der Baustein im High-Voltage-D³PAK-Gehäuse geliefert.

STMicroelectronics hat einen oberflächenmontierbaren 800-V-Thyristor vorgestellt, der sich ohne Derating bei Temperaturen bis 150 °C betreiben lässt. Optimiert ist er für den Leistungsbereich 1 bis 10 kW.

Der in einem High-Voltage-D³PAK-Gehäuse (TO-268-HV) untergebrachte TM8050H-8, den STMicroelectronics bereits in Serienfertigung anbietet, weist einen Nennstrom von 80 A auf und ist für Anwendungen im Leistungsbereich von 1 bis 10 kW optimiert.

Der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt nur 0,25 K/W, wodurch eine effiziente Wärmeableitung möglich ist. Die Kriechstrecke von 5,6 mm zwischen Pin und Tab bietet ausreichend Sicherheit beim Anlegen hoher Spannungen. Weitere Merkmale des Halbleiterbausteins sind ein geringer dynamischer Widerstand von 5,5 mΩ bei 150 °C Sperrschichttemperatur, eine Einschaltspannung von 0,85 V und ein Leckstrom von höchstens 20 µA bei 800 V und 25 °C Sperrschichttemperatur. Optional ist der Thyristor alternativ im TO-247-Gehäuse verfügbar.

Der TM8050H-8 ist das neueste Mitglied einer für Leistungsregelungsanwendungen im Industrie- und Automotive-Bereich ausgelegten Thyristorfamilie von ST, die Nennströme von 12 bis 80 A abdeckt.