UnitedSiC 650- und 1200-V-SiC-JFETs der dritten Generation

Die neuen SiC-JFETs sind im TO-247-3L-Gehäuse erhältlich.
Die neuen SiC-JFETs sind im TO-247-3L-Gehäuse erhältlich.

UnitedSiC stellt die dritte Generation seiner 1200- und 650-V-SiC-JFETs vor. Für die Fertigung nutzt das Unternehmen seinen eigenen 6-Zoll-Wafer-Prozess, dessen Wafer-Thinning- und Chipbefestigungstechniken für einen besonders niedrigen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse sorgen.

Zu den neu vorgestellten SiC-JFETs zählen der UJ3N120070K3S mit 1200 V und 70 mΩ, der UJ3N120035K3S mit 1200 V und 35 mΩ, der UJ3N065080K3S mit 650 V und 80 mΩ und der UJ3N065025K3S mit 650 V und 25 mΩ. Alle Bausteine werden im TO-247-3L-Gehäuse ausgeliefert.

Die Normally-On-JFETs sind beispielsweise für Anwendungen wie Halbleiter-Leistungsschalter und Schaltungsschutz-Applikationen interessant, die standardmäßig einen leitenden Zustand bei fehlendem Gate-Strom erfordern. Auch lassen sie sich mit einem Si-MOSFET zu Superkaskoden parallel schalten.

Ein besonderes Merkmal der SiC-JFETs ist ihre hohe RDSA-Güte, das heißt der hohe spezifische Durchlasswiderstand im Vergleich zur Chipfläche. Dadurch ergibt sich eine geringe Einfügedämpfung beim Schaltungsschutz.