Vishay 500-V-MOSFETs nach Gen-II-Super-Junction-Technologie

Vishay hat 11 neue 500-V-Hochspannungs-MOSFETs auf Basis der Gen-II-Super-Junction-Technologie im Portfolio.
Vishay hat 11 neue 500-V-Hochspannungs-MOSFETs auf Basis der Gen-II-Super-Junction-Technologie im Portfolio.

Vishay hat elf neue 500-V-MOSFETs der E-Serie sollen Anwendern helfen, Leistungs- und Energieeffizienzstandards wie den 80 PLUS zu erfüllen. Der Einschaltwiderstand der Transistoren liegt zwischen 190 und 380 mΩ.

Laut Vishay bieten die 500-V-MOSFETs SiHDxxN50E der E-Serie die gleichen Vorteile wie die 600-V- und 650-V-Bausteine der E-Serie: geringe Durchlass- und Schaltverlust, einen hohe Leistungsdichte sowie eine hohe Energieeffizienz. Der Einschaltwiderstand der E-Serie erstreckt sich von 145 bis 360 mΩ, die Drain-Ströme von 12 bis 20 A. Zu den weiteren Eigenschaften der Bauteile zählen eine Gate-Ladung von 22 bis 45 nC.

Untergebracht sind die RoHS-konformen 500-V-MOSFETs wahlweise in folgenden Gehäusen: TO-252, TO-220, TO-263 oder Thin lead TO-220 FULLPAK. Muster- und Produktionsstückzahlen sind ab sofort lieferbar. Die Lieferzeit beträgt 16 bis 17 Wochen.