Für DC-Ladesäulen und Industrie 1200 V SiC-Dioden von Infineon

Die SiC Schottky-Diode von Infineon ersetzt herkömmliche Siliziumdioden.
Die SiC Schottky-Diode von Infineon ersetzt herkömmliche Siliziumdioden.

Infineon erweitert seine SiC-Dioden-Familie. Damit können herkömmliche Siliziumdioden ersetzt werden. Für die entsprechenden Anwendungen ist somit ein höherer Wirkungsgrad möglich.

Infineon Technologies liefert die neuen CoolSiC Schottky 1200 V Gen5-Dioden im TO247-2-Gehäuse. Sie ersetzen einfache Siliziumdioden und erzielen einen bis zu einem Prozent höheren Wirkungsgrad in Kombination mit Silizium-IGBTs oder Super-Junction-MOSFETs, etwa beim Einsatz in Dreiphasen-Gleichrichtern. Dadurch kann die Ausgangsleistung um bis zu 40 Prozent erhöht werden.

Bei Durchlassströmen von bis zu 40 A weisen die Dioden verbesserte Luft- und Kriechstrecken von 8,7 mm auf und bieten Sicherheit bei Einsatzgebieten mit großer Verschmutzung. Eine 1200 V Gen5-Diode mit 10 A Nennstrom kann eine herkömmliche 30 A Siliziumdiode ersetzen. Die Dioden eignen sich zum Beispiel für den Einsatz in DC-Ladesäulen, Solarsystemen oder anderen industriellen Anwendungen. Sie sind ab sofort in den Stromklassen 10, 15, 20, 30 und 40 A lieferbar.