Littelfuse und Monolith 1.200-V-SiC-MOSFETs mit geringem Durchlasswiderstand

Littelfuse und Monolith Semiconductor stellen zwei neue 1.200-V-N-Kanal-SiC-MOSFETs vor, die sich durch einen besonders niedrigen Durchlasswiderstand auszeichnen. Die für Umrichter-Systeme optimierten Leistungshalbleiterbausteine sind im TO-247-3L-Gehäuse erhältlich.

Die SiC-MOSFETs LSIC1MO120E0120 und LSIC1MO120E0160 weisen einen geringen Durchlasswiderstand von nur 120 mΩ bzw. 160 mΩ auf. Sie wurden für den Einsatz in verschiedenartigen Umrichter-Systemen entwickelt und übertreffen Silizium-MOSFETs im Hinblick auf die Sperrspannung, den spezifischen Durchlasswiderstand und die Sperrschichtkapazitäten.

Die SiC-MOSFETs kombinieren hohe Betriebsspannungen und hohe Schaltgeschwindigkeiten, die herkömmliche Leistungstransistorlösungen wie Silizium-IGBTs mit ähnlichen Nennströmen und Gehäuseformen nicht erreichen.

Der LSIC1MO120E0120 und der LSIC1MO120E0160 sind im TO-247-3L-Gehäuse in Tubes mit 450 Stück erhältlich. Typische Anwendungsbereiche sind Elektrofahrzeuge, Industriemaschinen, Solar-Wechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler und Induktionserhitzer.

Durch Verwendung der SiC-MOSFETs lässt sich die Anzahl der passiven Filterkomponenten auf Systemebene reduzieren und damit eine höhere Leistungsdichte erzielen. Die niedrige Gate-Ladung und die geringe Ausgangskapazität ermöglichen in Verbindung mit dem niedrigen Durchlasswiderstand eine sehr geringe Verlustleistung, einen hohen Wirkungsgrad sowie ein kompaktes System-Design.