Flash-Speicher 512-Gbyte-SSD mit DDR-Flash von Samsung

Was bei RAM schon lange Stand der Technik ist, kommt jetzt auch bei Flash-Speicher: Double Data Rate – DDR. Samsung bringt im Juli eine Solid-State Disc mit 512 Gbyte und neuen, schnellen Speicherbausteinen auf den Markt.

Die neue Halbleiter-Festplatte mit einer Kapazität von 512 GByte nutzt 32-Gigabit-Chips aus einem 32-nm-Herstellungsprozess, der seit November 2009 in Serie läuft. Gegenüber der bisherigen Chip-Generation mit 40 nm und 16-Gigabit-Chips bleibt der Stromverbrauch konstant, was nicht nur der Strukturverkleinerung, sondern auch einem neuen Stromsparmodus zu verdanken ist.

Die neuen Speicherchips haben ein sog. Toggle-DDR-Interface, das nach JEDEC standardisiert ist. Dabei ist das Datensignal synchron mit dem DQS-Signal (Data Query Strobe), das anzeigt, dass gültige Daten anliegen. Toggle-DDR-NAND-Bausteine können das DQS-Signal abschalten, wenn keine Daten anliegen. Außerdem laufen die neuen 32-nm-Bausteine mit einer Spannung von 1,8 Volt, während die Vorgängergeneration mit 3,3 Volt betrieben werden muss. Die Speicherbausteine können über die Double-Data-Rate-Schnittstelle bis zu 133 Mbit/s pro Pin übertragen.

Extern hat das laufwerk eine SATA-Schnittstelle mit mit 3 Gbit/s. die maximale sequentielle Lesegeschwindigkeit gibt Samsung mit 250 MByte/s und die sequentielle Schreibgeschwindigkeit mit 220 MByte/s. Ferner kann das Laufwerk die Daten mit 256-bit-AES verschlüsseln, um unerwünschte Zugriffe im Falle eines Diebstahls zu verhindern. Die Massenproduktion des Laufwerks soll im Juli 2010 beginnen.