Flexibles Pin-Raster-System Powermodul im neuen Gehäuse von Infineon

Das Easy 3B ist geeignet, um aktuelle Wechselrichterdesigns zu erweitern und höhere Leistung zu erzielen – ohne große Änderungen auf mechanischer Seite. Das neue Gehäuse übernimmt das flexible Pin-Raster-System,  für individuelle Anpassungen.
Das Easy 3B ist geeignet, um aktuelle Wechselrichterdesigns zu erweitern und höhere Leistung zu erzielen – ohne große Änderungen auf mechanischer Seite. Das neue Gehäuse übernimmt das flexible Pin-Raster-System, für individuelle Anpassungen.

Infineon Technologies erweitert die Easy-Familie um einen neuen Gehäusetyp: Easy 3B. Zusammen mit den anderen Easy 1B- und 2B-Gehäusen bietet die Familie jetzt das breiteste Portfolio von Leistungsmodulen mit 12 mm Höhe ohne Bodenplatte.

Das erste Modul im neuen Gehäusedesign hat einen Nennstrom von 400 A und ist mit einer 3-stufigen ANPC-(Advanced Neutral Point Clamping)-Topologie ausgestattet. Es ist optimiert für Solarwechselrichter mit einer Eingangsspannung von 1500 V. Das Easy 3B-Gehäuse wird auf der PCIM 2019 vorgestellt.

1500-V-Wechselrichter für Solarkraft sehr gefragt

In großen Solarkraftwerken wird der 1500-V-Wechselrichter immer häufiger eingesetzt. Der weltweite Gesamtabsatz bezogen auf die Ausgangsleistung der Solarkraftwerke für diese Spannungsklasse betrug 2018 32,7 GW. Die erwartete durchschnittliche jährliche Wachstumsrate für die nächsten fünf Jahre wird hier voraussichtlich bei 20,6 Prozent liegen. Um diesen wachsenden Markt zu bedienen, ist das Modul mit der neuesten IGBT-Technologie mit einer Sperrspannung von 950 V ausgestattet. Die Grundfläche des Easy 3B-Gehäuses beträgt 110 mm x 62 mm und ist damit 2,5 mal größer als die des Easy 2B. Das Modul ermöglicht ein hocheffizientes Wechselrichterdesign mit einer Leistung von bis zu 150 kW und einer branchenführenden Leistungsdichte von mehr als 500 W/Liter.

Infineon plant, ein vollständiges Easy 3B-Portfolio für den Markt der industriellen Antriebe auf Basis des Trenchstop IGBT7-Chips zu entwickeln. Damit wird das aktuelle Easy-Portfolio für Antriebe um höhere Nennströme erweitert. Da das Easy-Gehäuse die auch für neue Anwendungen wie EV-Ladegeräte und Energiespeichersysteme geeignet ist, wird Infineon auch hierfür Produkte vorstellen. Laden und Speichern sind auf hohe Effizienz angewiesen. Das neue Easy 3B-Gehäuse wird deshalb auch mit der neuesten Siliziumkarbid-Chip-Technologie von Infineon, dem CoolSiC MOSFET, auf den Markt gebracht.