Hochstrominduktivität Findet Platz in einem 6767-Gehäuse

IHLP-6767DZ-11 - Hochstrominduktivität in einem 6767-Gehäuse
IHLP-6767DZ-11 - Hochstrominduktivität in einem 6767-Gehäuse

Die als IHLP-6767DZ-11 bezeichnete Hochstrominduktivität kommt in einem 6767-Gehäuse mit einer Bauhöhe von 4 mm aus. Durch ihren maximalen DCR-Wert bis hinab zu 2,05 mΩ trägt sie zu einem hohen Wirkungsgrad bei; außerdem deckt sie einen Induktivitäts-Wertebereich von 1 bis 47 µH ab.

Die Induktivität kann hohe Spitzenströme aufnehmen, ohne abrupt in die Sättigung zu geraten. Der Sättigungsstrom liegt, je nach Induktivitätswert, zwischen 4,3 und 27,5 A, die durch Wärmeentwicklung begrenzte Strombelastbarkeit zwischen 5 und 41 A und der maximale Gleichstromwiderstand zwischen 2,05 und 108,46 mΩ.