Renesas Electronics

Schnelleres embedded STT-MRAM für MCUs

20. Juni 2022, 8:31 Uhr | Iris Stroh
embedded MRAM
Schaltungstechnologien für 22-nm-Embedded-STT-MRAM mit schnellerer Lese- und Schreibleistung für MCUs in IoT-Anwendungen
© Renesas Electronics

Renesas Electronics hat Schaltungstechnologien für ein eingebettetes SST-MRAM (Spin-Transfer-Torque-Magnetoresistive-Random-Access-Memory) mit schnellen Lese- und Schreiboperationen entwickelt, das in einem 22-nm-Prozess gefertigt wird.

Da auch MCUs mit immer kleineren Prozessstrukturen gefertigt werden, wird nach Alternativen zum integrierten Flash-Speicher gesucht. MRAM ist mit der bestehenden CMOS-Logikprozesstechnologie kompatibel und erfordert weniger zusätzliche Maskenschichten. Renesas hat auf dem 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits jetzt einen Testchip mit einem 32-Mbit-großen MRAM-Speicherzellen-Array gezeigt, der eine Zugriffszeit (Random Read Access) von 5,9 ns bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C sowie einen Schreibdurchsatz von 5,8 MB/s erreicht.

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