Leistungs-MOSFETs Robuste Leistungsbausteine von IR im TO-220-Fullpak-Gehäuse

International Rectifier hat Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die in einem robusten TO-220 Fullpak-Gehäuse untergebracht sind und sich für den Automotive-Einsatz, wie in BLDC-Motoren, Pumpen oder Kühlsysteme eignen.

Die 55-V-Planarbausteinen verfügen über Standard- und Logikpegel-Gate-Ansteuerung in N- und P-Kanal-Konfiguration. Sie zeichnen sich durch einen maximalen RDS(on) von 8 mΩ aus. Durch den Einsatz des TO-220-Fullpak-Gehäuses ist keine zusätzliche Isolation erforderlich, wodurch die Entwicklung vereinfacht und die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems verbessert wird.

IRs MOSFET-Familie ist für den Linearbetrieb sowie für Automobil-Applikationen, bei denen ein robuster, zuverlässiger MOSFET zur Ansteuerung hoch-induktiver Lasten gebraucht wird, ausgelegt.