n-Kanal-MOSFETs von Toshiba Niedriger Durchlasswiderstand für Power-Management-Applikationen

60 V N-Kanal-MOSFET SSM3K341R und 100 V 60 V N-Kanal-MOSFET SSM3K361 von Toshiba
60 V N-Kanal-MOSFET SSM3K341R und 100 V 60 V N-Kanal-MOSFET SSM3K361 von Toshiba

Toshiba Electronics hat zwei kompakte n-Kanal-MOSFETs für Automotive-Anwendungen angekündigt. Der 60V SSM3K341R und der 100V SSM3K361R weisen einen äußerst niedrigen Durchlasswiderstand auf. Damit eignen sie sich für Power-Management-Anwendungen wie DC/DC-Wandler oder Lastschalter.

Die erhöhte Nachfrage in allen industriellen Bereichen Energie zu sparen, führt zur verstärkten Nutzung von LEDs, was auch die Anforderungen an n-Kanal-MOSFETs erhöht, die als Schalter in LED-Treibern zum Einsatz kommen. Toshibas SSM3K341R und SSM3K361R im kleinen Gehäuse bieten einen RDS(ON) (@UGS = 4,5 V) von 36 bzw. 65 mΩ. Sie unterstützen eine maximale Kanaltemperatur von 175°C, was den Einsatz in zahlreichen Automotive-Anwendungen ermöglicht.

Im Vergleich zu Vorgängermodellen verringern die beiden neuen Bausteine die durch Einschaltverluste erzeugte Abwärme um etwa 65 Prozent. Die MOSFETs werden in kompakten SOT-23F Flat-Lead-Gehäusen ausgeliefert.