Gehäuse-Technologie für Leistungshalbleiter Mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad

Infineon Technologies hat für Leistungshalbleiter im Automobil ein H-PSOF-Gehäuse entwickelt, das mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad überzeugt. Die 40-V-Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-T2-Produktserie mit Strömen bis zu 300 A und RDS(on)-Werten von 0,76 mΩ sind die ersten Produkte, die in diesem Gehäuse untergebracht sind.

Im Vergleich zu herkömmlichen D 2PAK (TO-263)-Gehäusen verfügt das H-PSOF über reduzierte Abmessungen und eine kleinere Bauhöhe. Die Abmessungen des Bauelements sind etwa 20 Prozent kleiner als bei modernen D 2PAK-Gehäusen, die Gehäusehöhe beträgt etwa nur die Hälfte.
Einsatz findet das Gehäuse in Automobilelektronik-Applikationen, beispielsweise im Batterie-Management für Elektro- und Hybrid-Fahrzeuge, in der elektrischen Servolenkung (EPS), der aktiven Lichtmaschine oder in anderen Anwendungen mit hoher Last, die den Wirkungsgrad des Fahrzeugs verbessern und den Schadstoffausstoß senken. Als Wachstumsmarkt nennt das US-amerikanische Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics in einer aktuellen Studie die EPS- und Start-/Stopp-Systeme. Dieses Segment soll sich von etwa 47 Millionen Einheiten im Jahr 2011 auf ca. 110 Millionen in 2016 mehr als verdoppeln. Das entspricht einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von etwa 19 Prozent.
Darüber hinaus hat das H-PSOF-Gehäuse Vorteile bei der Fertigung und Bestückung. Durch sein Design lässt sich eine gute Benetzung für ein zuverlässiges Löten sicherstellen. Außerdem lassen sich die Lötanschlüsse mit AOI untersuchen.
Das erste verfügbare Produkt im H-PSOF-Gehäuse ist der IPLU300N04S4-R7 aus der 40-V-MOSFET-Familie OptiMOS T2. Die Leistungskomponente verfügt über einen kontinuierlichen ID von 300 A mit einem RDS(on) von 0,76 mΩ. Die Power-MOSFETs im H-PSOF-Gehäuse sind gemäß AEC-Q101 qualifiziert. Infineon wird im H-PSOF-Gehäuse weitere Automobil-MOSFETs mit Spannungen von 40 V und 30 V auf den Markt bringen