Nexperia GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad

Der GaN-FET GAN063-650WSA von Nexperia wurde speziell für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt.
Der GaN-FET GAN063-650WSA von Nexperia wurde speziell für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt.

Nexperia bringt GaN-Feldeffekttransistor mit hohem Wirkungsgrad auf den Markt. Der GaN-FET wurde speziell für die Bereiche Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt.

Mit der Vorstellung des 650-V-Feldeffekttransistors GAN063-650WSA, gab  Nexperia seinen Eintritt in den Galliumnitrid(GaN)-FET-Markt bekannt. Die Gate-Source-Spannung (VGS) des FETs liegt bei ±20 V – außerdem arbeitet das Bauelement in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Der Einschaltwiderstand RDS(on) geht bis auf 60 mΩ herunter. Zusammen mit den hohen Schaltgeschwindigkeiten erreicht der GAN063-650WSA damit einen hohen Wirkungsgrad.

Der GaN-FET GAN063-650WSA ist der erste in einem Portfolio mit GaN-Bauelementen, die Nexperia speziell für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt. Weiterführende Informationen zum neuen GAN063-650WSA wie zum Beispiel Produktspezifikationen und das Datenblatt, finden Sie auf der Website des Herstellers.