Vishay Fotodioden/-transistoren für sichtbares Licht und Nah-Infrarot-Strahlung

Vishay Intertechnology, Inc. hat mit den PIN-Fotodioden VEMD25x0X01 und NPN-Planar-Fototransistoren VEMT25x0X01 neue Fotodetektoren vorgestellt, die sowohl für sichtbares Licht als auch für Nah-Infrarot-Strahlung empfindlich sind.

Die Bauteile werden in 2,3 mm x 2,3 mm x 2,8 mm großen 1,8-mm-Gullwing- oder Reverse-Gullwing-SMD-Gehäusen ausgeliefert und eignen sich für den Einsatz als Lichtvorhang-, Miniaturschalter-, Encoder- und Lichtschranken-Detektoren in Messtechnik-, Automobilelektronik- und Druckeranwendungen.

Die Fotodioden haben einen Hellstrom von 12 µA und sind für Wellenlängen zwischen 350 nm und 1120 nm empfindlich. Die Fototransistoren haben einen Hellstrom von 6 mA und sind für Wellenlängen zwischen 470 nm und 1090 nm empfindlich.

Die Fotodioden/-transistoren VEMD25x0X01 und VEMT25x0X01 haben einen Dunkelstrom von 1 nA, einen 50%-Empfindlichkeitswinkel von ±15° und einen Betriebstemperaturbereich von -40 bis +100 °C.

Die meisten Fotodetektoren gehören der MSL-Klasse (Moisture Sensitivity Level, Feuchtigkeitsempfindlichkeitsklasse) 3 an und müssen daher nach der Entnahme aus der Schutzverpackung innerhalb von 72 Stunden verbaut werden. Im Gegensatz dazu gehören die Typen

Die Bauelemente VEMD25x0X01 und VEMT25x0X01 entsprechen dem Moisture Sensitivity Level 2a (gemäß J-STD-020) an und können bis zu vier Wochen lang offen aufbewahrt werden. Die Fotodetektoren erfüllen die Anforderungen der RoHS-Richtlinien 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC, sind halogenfrei nach IEC 61249-2-21 und sind mit bleifreien Reflow-Lötprozessen kompatibel.

Die neuen Fotodioden und -transistoren sind in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt vier bis sechs Wochen.