Bare-Die-IGBT für Wechselrichtermodule

Der ausschließlich als Bare-Die gelieferte IGBT AUIRG7CH80K6B-M von International Rectifier arbeitet bei Sperrschichttemperaturen von bis zu 175 °C und verfügt gleichzeitig über verschiedene Mechanismen zur Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten.

Er arbeitet im Spannungsbereich von 2000 V und mit einem Nennstrom von 200 A. Auf Bond-Drähte kann dank des Solderable-Front-Metal-Aufbaus verzichtet werden, was in Verbindung mit der Möglichkeit den Transistor beidseitig zu kühlen die Zuverlässigkeit und den Wirkungsgrad verbessert.

Der AUIRG7CH80K6B-M nutzt die Field-Stop-Trench-Technologie von International Rectifier und besitzt eine Kurzschlussfestigkeit von sechs Mikrosekunden. Er ist gemäß AEC-Q100 zertifiziert, bereits in Produktionsstückzahlen verfügbar und eignet sich speziell für den Einsatz in Hochspannungswechselrichtern für Elektro- und Hybridfahrzeuge.