Everspin/Varep 4-Mbit-MRAM für Automobilanwendungen

Der neue 4-Mbit-MRAM-Speicher MR25H40 von Everspin verfügt über eine SPI-Schnittstelle und ist hinsichtlich Schreib- und Lesezugriffen kompatibel zu EEPROM und Flash-Speichern.

Gleichzeitig bietet er eine hohe Schreibgeschwindigkeit, eine nahezu unbegrenzte Anzahl von Schreib/Lese-Zyklen und eine niedrige Leistungsaufnahme sowohl im Stand-by-Modus als auch im regulären Betrieb. Eine integrierte Error-Correction-Logik macht den Baustein zudem immun gegenüber Soft-Errors.

Der serielle 4-MBit-MRAM-Baustein MR25H40 arbeitet im Spannungsbereich von 3,0 bis 3,6 V. Neben einem Stand-by-Modus verfüget er auch über einen Sleep-Modus um die Leistungsaufnahmen noch weiter abzusenken. Der Baustein ist intern in byte-weise organisiert und kann 4.096 Kbit an Daten speichern. Serielle SPI-Befehls-Codes und das Timing entsprechen dem Industriestandard, sodass sich der Baustein einfach in bestehende Systeme integrieren lässt. Angeboten wird der MR25H40 mit einem 5 mm x 6 mm großen DFN-8-Gehäuse oder als DIP-8-Version. Beide Ausführungen sind RoHS-konform und in Bezug auf Pinout und Footprint kompatibel zu seriellen EEPROM-, Flash- und FeRAM-Produkten. Muster des MRAM-Bausteins MR25H40 für den Temperaturbereich von -40 bis +85 °C) sind verfügbar.

Die Bausteine eignen sich für Anwendungen in den Bereichen Smart-Metering, industrielle Steuerungen sowie Automobilelektronik. Der Vertrieb erfolgt über die Firma Varep.