AEC-Q101-konforme P-Kanal-MOSFETs Nexperia halbiert Größe bei gleicher Leistung

Aufgrund der hohen Nachfrage gibt es ab sofort auch automotive-zertifizierte P-Kanal-Mosfets von Nexperia.
Aufgrund der hohen Nachfrage gibt es ab sofort auch automotive-zertifizierte P-Kanal-Mosfets von Nexperia.

Nexperia hat die branchenweit erste P-Kanal-MOSFET-Familie im robusten und platzsparenden LFPAK56-Package (Power-SO8) auf den Markt gebracht. Die neuen Bauelemente erfüllen die Anforderungen gemäß AEC-Q101 für den Automobilbau und sollen ein Ersatz für DPAK-MOSFETs werden.

Auf weniger als 50 % Raum bieten die Leistungshalbleiter eine Performance auf Augenhöhe. Die neuen Produkte sind in Spannungen von 30 V bis 60 V und mit einem Einschaltwiderstand RDS(ON) bis hinunter auf 10 mΩ (bei 30 V) erhältlich.

Das Halbleiterunternehmen zielt mit den neuen P-Kanal-MOSFETs insbesondere auf automobile Anwendungen ab, wie zum Beispiel als Verpolungsschutz und als versorgungsseitige (High Side)-Schalter für die Betätigung von Sitz, Sonnendach und Fenstern. Sie sind ebenfalls für industrielle Anwendungen, wie zum Beispiel 5G-Basisstationen, geeignet.

Das LFPAK-Package in Kupferclip-Technik wurde erstmalig von Nexperia entworfen und ist seit fast 20 Jahren insbesondere in anspruchsvollen Anwendungen wie im Automobilbau im Einsatz. Es hat sich nach Firmenaussage als erheblich zuverlässiger erwiesen, als es die AEC-Standards erfordern. Die wichtigste Prüfung im Bereich Zuverlässigkeit wird um das Zweifache ‚übererfüllt‘ und die Zuverlässigkeit auf Platinenebene erhöht sich dank des einzigartigen Aufbaus des Package ebenfalls. Bisher sind nur N-Kanal-Bauelemente im LFPAK-Package erhältlich gewesen, aber aufgrund der hohen Nachfrage hat Nexperia sein LFPAK56-Portfolio jetzt um P-Kanal-Optionen erweitert.

Ein P-Kanal-MOSFET lässt sich grob mit einem pnp-Transistor vergleichen, wenn man das Gate (G) als Basis, Drain (D) als Kollektor und Source (S) als Emitter betrachtet. Der interne Widerstand der Drain-Source-Strecke wird mit der Spannung am Gate gesteuert. Ist die Spannung am Gate identisch mit der Spannung am Source, dann sperrt der Transistor. Zwischen Drain und Source kann (abgesehen von einem Leckstrom von einigen Mikroampere) kein Strom fließen.