Delphi und Cree Kooperation für kürzere Ladezeiten

SiC-basierter MOSFET-Nacktchip auf Wafer.
SiC-basierter MOSFET-Nacktchip auf Wafer.

In Delphis DC/DC-Wandlern und Ladegeräten werden zukünftig SiC-Halbleiter eingesetzt. Mit Cree einigte man sich auf eine Kooperation – Produktionsziel 2022.

Im Zuge der Kooperation wird Crees MOSFET-Technologie auf Siliziumkarbidbasis in Traktionsumrichter, DC/DC-Wandler und Ladegeräte von Delphi integriert. Beide Unternehmen sehen darin eine Möglichkeit, um die Reichweite von Elektrofahrzeugen zu vergrößern und die Ladezeiten zu verkürzen. Weiteres Einsparpotenzial sehe man bei Gewicht, Bauraum und Herstellungskosten. Die MOSFETs werden in die 800 V-Wechselrichter integriert, die in der Automobilbranche weit verbreitet sind. Die Produktion soll 2022 anlaufen.

Delphis CEO Richard Dauch sieht die Kooperation als Chance für die Automobilhersteller: »Wenn den Verbrauchern die Bedenken bezüglich Reichweite, Ladezeit und Kosten von Elektrofahrzeugen genommen werden, wird die gesamte Branche davon profitieren«. Bis 2030 werden laut IHS-Prognose 30 Millionen elektrifizierte Leichtfahrzeuge auf Basis von Hochspannungstechnik verkauft. Das entspricht etwa 27 Prozent aller jährlich verkauften Fahrzeuge. Wechselrichter gehören zu den hochwertigsten Elektrifizierungskomponenten und ihre Effizienz hat einen verhältnismäßig hohen Einfluss auf die Gesamteffizienz eines Fahrzeugs.

Die Automobilindustrie ist aktuell einer der größten Wachstumstreiber für SiC-Leistungshalbleiter. Cree kündigte kürzlich an, seine Produktionskapazitäten stark auszubauen, um eine 30-fache Steigerung zu erzielen.