Infineon Technologies 650-V-IGBT mit schnellem Schaltverhalten

 650-V-IGBT mit Trenchstop-Technologie von Infineon
650-V-IGBT mit Trenchstop-Technologie von Infineon

Infineon Technologies hat mit den Trenchstop 5 AUTO IGBTs eine neue Familie robuster 650 V Bausteine angekündigt, die die Zuverlässigkeit der Applikationen in HEVs verbessern.

Die Anwendungsgebiete umfassen unter anderem Onboard-Ladegeräte inklusive deren Blindleistungskompensationsstufen (PFC) sowie die DC/DC- und DC/AC-Wandlung.

Die neuen IGBTs verfügen über eine um 50 V höhere Sperrspannungsfestigkeit als die vorherigen Automobil-IGBTs und erzielen dank der Trenchstop-5-Dünnwafer-Technologie von Infineon hervorragende Effizienzresultate. So werden beispielsweise die Sättigungsspannung (VCE(sat)) im Vergleich zur gängigen Technologie um 200 mV reduziert, Schaltverluste halbiert und die Gate-Ladung um den Faktor 2,5 verringert. Die verbesserten Schalt- und Leitungsverluste führen zu verringerten Chip- und Gehäusetemperaturen, was wiederum die Zuverlässigkeit der Bauteile deutlich erhöht und deren Kühlungsbedarf stark reduziert.

Durch die Nutzung von Trenchstop 5 AUTO IGBTs können Entwickler von Elektrofahrzeugen Effizienzsteigerungen verwirklichen und damit die Langstreckenfähigkeiten der Fahrzeuge erhöhen oder aber kleinere Fahrzeugbatterien verwenden. Bei Hybridfahrzeugen kann die Effizienzsteigerung dazu genutzt werden, den Treibstoffverbrauch und die damit verbundene CO2-Emission zu reduzieren.

Durch die Nutzung von TRENCHSTOP 5 AUTO IGBTs können Entwickler von Elektrofahrzeugen Effizienzsteigerungen verwirklichen und damit die Langstreckenfähigkeiten der Fahrzeuge erhöhen oder aber kleinere Fahrzeugbatterien verwenden. Bei Hybridfahrzeugen kann die Effizienzsteigerung dazu genutzt werden, den Treibstoffverbrauch und die damit verbundene CO 2-Emission zu reduzieren. Die jetzt neu im Markt eingeführten TRENCHSTOP 5 AUTO-Bauteile sind aufgrund ihrer Leistungsfähigkeit auch in MOSFET-dominierten Anwendungen einsetzbar. Infineon bietet damit Entwicklern ein größeres Spektrum an geeigneten Halbleiterbausteinen für den Einsatz im Automobilbereich.