Schwerpunkte

Dünn- und Dickschichtwiderstände

Selbst bei >200 °C höchst funktionssicher

01. Dezember 2014, 14:14 Uhr   |  Von Dominique Vignolo


Fortsetzung des Artikels von Teil 1 .

Einfluss des Temperaturkoeffizienten

Bild 3: Prüfung des Temperaturkoeffizienten [-55°C; +200°C] an Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerständen; CHPHT2010; 1,2 KΩ
© Vishay Sfernice

Bild 3: Prüfung des Temperaturkoeffizienten [-55°C; +200°C] an Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerständen; CHPHT2010; 1,2 KΩ

Das Ziel einer Prüfung des Temperaturkoeffizienten ist der Vergleich des Verhaltens von Standard-Dickschicht-Chip-Widerständen in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +155 °C und Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerständen in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +200 °C (siehe Bild 3), wobei letztere über dieselben Widerstandsschichten und Gold-Anschlüsse verfügen und auf dem gleichen Verfahren basieren.

Messungen verschiedener Chargen mit unterschiedlichen Resistivitätsmerkmalen zeigen, dass:
- Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerstände in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +200 °C das gleiche Verhalten aufweisen wie Standard-Dickschicht-Chip-Widerstände in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +155 °C;
- die Messung konstant ist, unabhängig davon, welche Resistivität eingesetzt wird;
- auf Basis der verschiedenen Tests der Temperaturkoeffizient bei Temperaturen bis zu 230 °C innerhalb des 100 ppm/K-Bereichs bleibt.

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1. Selbst bei >200 °C höchst funktionssicher
2. Einfluss des Temperaturkoeffizienten
3. Verhalten von Dünnschicht-Widerstandsnetzwerken bei hohen Temperaturen
4. Untersuchungen hinsichtlich der Load-Life-Stabilität

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