Gleichmann: optimierte PowerMOSFETs von NEC

NEC Electronics erste PowerMOSFETs im TO-263-7 Package zeichnen sich nicht nur durch besonders kleine Leckströme und ein optimiertes thermisches Verhalten aus. Durch Unterbringung in einem siebenpoligen Gehäuse konnte auch der On-Widerstand auf maximal 1,5 mΩ (NP180N04TUG) reduziert werden. Ab sofort werden sie über Gleichmann Electronics vertrieben.

Beim Packaging der PowerMOSFETs, die auf der UMOS-4 Prozesstechnologie basieren, kommt eine von NEC Electronics entwickelte Multi-Bonding-Technologie zum Einsatz. Dabei wird die Anzahl der Bonddrähte von zwei auf vier verdoppelt. Durch diese zusätzlichen Bonddrähte können höhere Ströme bei geringen On-Widerständen und in verhältnismäßig kleinen Gehäusen geschaltet werden. Aufgrund dieser Eigenschaften ermöglichen die neuen PowerMOSFETs im TO-263-7 Package ein optimiertes Verlustleistungs-Management der Gesamtschaltung. Zudem reduziert sich der für die Wärmeableitung notwendige Platz auf der Leiterplatte.

Die neuen PowerMOSFETs im TO-263-7 Package eignen sich besonders für Applikationen in den Bereichen Automotive und Low-Voltage Motor Controls sowie für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, bei denen hohe Ströme, ein effizientes Power-Management und große Zuverlässigkeit erforderlich sind.

Weitere Informationen bei Theo Goertz, tgo@msc-ge.com, Tel. (0211) 92593-13.