Power Electronic Measurements Rogowski-Stromtastköpfe für SiC- und GaN-Chips

Die Rogowski-Stromtastköpfe können Stromflanken von 100 kA/µs verarbeiten.
Die Rogowski-Stromtastköpfe können Stromflanken von 100 kA/µs verarbeiten.

Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid und Galliumnitrid können extrem schnell schalten. Um die Verluste dieser schnellen Schaltvorgänge sauber messen zu können, sind besondere Stromtastköpfe nötig.

Auf Rogowski-Technologie basierende Breitband-Stromtastköpfe hat Power Electronic Measurements entwickelt. Der AC-Testkopf CWT MiniHF bietet laut Hersteller nicht nur eine bessere Gleichtaktfestigkeit gegenüber lokalen Hochspannungstransienten, sondern sorgt darüber hinaus für eine genauere Messverzögerung. Diese kann kompensiert werden, was zu einer verbesserten Leistungsverlustmessung in Leistungstransistoren führt, welche die SiC- und die GaN-Technologie einsetzen.

Durch die Kombination einer neuartigen Abschirmtechnik, die eine Spule mit geringer Empfindlichkeit und eine besonders rauscharme Signalverarbeitungsschaltung vereint, verstärkt der geschirmte Breitband-Tastkopf die Störfestigkeit gegenüber lokalen du/dt-Transientenspannungen, wobei jedoch bei einer 100-mm-Spule sowohl die geringe Größe als auch die Flexibilität und eine Bandbreite von 3 dB im Bereich bis 30 MHz erhalten bleiben. Die Tastköpfe sind durch eine lediglich 4,5 mm dicke Spule mit 5 kV Isolationsspannung gekennzeichnet und können eine maximale Stromflanke von 100 kA/µs verarbeiten.