Interview mit Gregg Lowe, Cree Warum wir eine Milliarde Dollar investieren

Auf der PCIM Europe 2019 verkündete Gregg Lowe, dass Cree eine Milliarde US-Dollar in die Produktionskapazität von SiC und GaN investieren werde.
Auf der PCIM Europe 2019 verkündete Gregg Lowe, dass Cree eine Milliarde US-Dollar in die Produktionskapazität von SiC und GaN investieren werde.

Waferkapazität ist der Engpass bei der Kommerzialisierung von Siliziumkarbid. Auf der PCIM Europe 2019 kündigte Gregg Lowe, CEO des SiC-Pioniers Cree, an, eine Milliarde Dollar in SiC- und GaN-Kapazitäten zu investieren. Wir konnten gleich nach dieser Ankündigung mit ihm über seine Pläne sprechen.

DESIGN&ELEKTRONIK: Herr Lowe, vor wenigen Minuten haben Sie angekündigt, dass Cree eine Milliarde US-Dollar in Fertigungskapazitäten investieren werde. Woher kommt das Geld?

Lowe: Kürzlich hatten wir angekündigt, unseren Beleuchtungsbereich an Ideal Industries zu verkaufen. Diese Transaktion hat ein Volumen von 310 Millionen US-Dollar. Der Rest kommt aus unserer starken Bilanz. Diese Summe werden wir über die nächsten fünf Jahre investieren.

D&E: Wann beginnen Sie zu investieren?

Lowe: Auf der Stelle.

D&E: Genau vor einem Jahr sagten Sie zu mir, Cree habe seine Kapazität verdoppelt, seit Sie im September 2017 an Bord gekommen sind, und Cree werde sie bis 2019 erneut verdoppeln. Wie sieht der neue Plan aus?

Lowe: Wenn Sie September 2017 als Ausgangsbasis nehmen, werden wir unsere Kapazitäten um das 30-Fache erweitern.

D&E: Können Sie dies bitte genauer erläutern? In welche Projekte fließt diese eine Milliarde?

Lowe: Der Kapazitätsausbau steht auf drei Säulen. Erstens werden wir für 450 Millionen Dollar zusätzlich zu unserer bestehenden Materialfabrik eine Materials Mega Factory auf dem Cree Campus in North Carolina bauen. Dort wird das Rohmaterial gezüchtet und dann in Wafer zersägt. Zweitens werden wir für weitere 450 Millionen Dollar eine leere Wafer-Fab auf unserem Campus ausstatten, um darin 150-Millimeter-Wafer zu prozessieren. Diese sogenannte North Fab kann jedoch recht einfach für 200-Millimeter-Wafer hochgerüstet werden, sobald der Markt dies verlangt. Dies könnte Mitte des nächsten Jahrzehnts der Fall sein. Und drittens werden weitere 100 Millionen Dollar in andere Aspekte der Erweiterung fließen.

D&E: Wann wird diese North Fab in Betrieb gehen?

Lowe: In unserem Geschäftsjahr 2022. Interessant ist auch, dass wir im Rahmen unserer Investitionen in das Materialgeschäft einen zweiten Standort einrichten werden, der zwar nur wenige Kilometer entfernt liegt, aber aus einem anderen Stromnetz versorgt wird. Dies gibt uns zusätzliche Sicherheit und Stabilität bei der Versorgung mit Rohwafern.

D&E: Kommen wir auf den Verkauf der Beleuchtungssparte zurück. Ich erinnere mich, dass wir uns auf der electronica im November 2018 über deren wirtschaftliche Herausforderungen unterhalten haben. Als ich vorschlug, diese zu verkaufen, meinten Sie, diese wieder profitabel machen zu wollen.

Lowe: Und das haben wir geschafft.

D&E: Indem Sie diese verkauften?

Lowe: Nein! Wir haben sie zuerst wieder in Ordnung gebracht und anschließend verkauft. Das mussten wir ohnehin tun, egal ob wir die Sparte behalten oder verkaufen wollten. Wie Sie an den Ergebnissen für das zweite Quartal unseres Geschäftsjahres 2019 sehen können, konnten wir die Bruttomarge unseres Beleuchtungsgeschäfts von 15,9 Prozent im Dezember 2017 auf 25,7 Prozent ein Jahr später steigern! Und zeitgleich stieg der Bruttogewinn um fast 50 Prozent! Unser Team hat hervorragende Arbeit geleistet, um dies in den Griff zu bekommen.

D&E: Aber der Verkauf des ehemals größten Geschäftsbereichs von Cree bedeutet einen kompletten Strategiewechsel.

Lowe: Sie haben völlig Recht. Als ich zu Cree kam, stellten wir schnell fest, dass unser am schnellsten wachsendes Geschäft Wolfspeed sein würde, also unsere Power- und HF-Sparte. Und wie bereits im vergangenen Jahr erwähnt, war es unser Ziel, diesen Geschäftsbereich von 220 Millionen Dollar Umsatz im Geschäftsjahr 2017 bis 2022 auf 850 Millionen Dollar zu vervierfachen. Für das laufende Geschäftsjahr 2019 peilen wir 540 Millionen Dollar an. Damit sind wir auf einem guten Weg. Ich erwarte daher, die 850-Millionen-Dollar-Marke für 2022 sogar noch zu übertreffen.

D&E: Cree investiert einen enormen Betrag in den Ausbau der Kapazitäten. Steigen auch die Aufwendungen für Forschung und Entwicklung?

Lowe: Wir wären sehr dumm, wenn wir es nicht täten. Unsere F&E-Aufwendungen sind auf zehn bis elf Prozent unseres Jahresumsatzes festgeschrieben. Mit steigendem Umsatz werden wir daher auch unsere Aufwendungen für Forschung und Entwicklung entsprechend erhöhen.

Momentan stellen wir mit extrem hohem Tempo Mitarbeiter ein. Und wenn sie zu uns kommen, sehen sie, dass wir eine führende Rolle spielen. Und mit der heutigen Ankündigung wird ihnen allen klar, dass wir absolut an unseren Erfolg glauben. Der Fokus des F&E-Teams liegt darauf, sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Kosten zu senken und die Ausbeute zu steigern. Und wenn die Kosten weiter sinken, können auch andere Anwendungen von Silizium auf Siliziumkarbid umschwenken.

D&E: Wie viele Leute arbeiten jetzt für Wolfspeed?

Lowe: Unsere Belegschaft ist als Ganzes gesehen relativ stabil geblieben, aber der Anteil der Mitarbeiter, die sich auf Wolfspeed konzentrieren, ist gestiegen. Aber auch künftig werden wir in den Bereichen Forschung und Entwicklung, Vertrieb, Marketing und Applications Engineering neue Stellen schaffen, um das Wachstum von Wolfspeed weiter zu fördern. Wir sind noch im Take-off-Modus, und für Cree und Wolfspeed zu arbeiten, gilt als sehr attraktiv!

D&E: Kommen wir zu neuen Produkten. Was hat Wolfspeed auf der PCIM vorgestellt?

Lowe: Heute haben wir zwei neue 1200-Volt-Chips für Frequenzumrichter in Elektrofahrzeugen vorgestellt. Dabei handelt es sich um ein 13-Milliohm- und ein 16-Milliohm-Bauteil, beide als Bare Dies, wie sie in Leistungsmodulen verwendet werden. Gefertigt werden diese in unserer Technologie der dritten Generation auf 150-Millimeter-Wafern.

D&E: Es handelt sich also immer noch um planare MOSFETs.

Lowe: Stimmt, sie sind planar. Über die Zeit werden wir auf eine vierte Generation an Technologien übergehen, die planar oder Trench sein könnte. Wir können beides fertigen, wie wir schon bewiesen haben.

Tatsache jedoch ist, dass diese hier auf der PCIM vorgestellt Bare-Die-Produkte einen geringeren Durchlasswiderstand haben als jeder heute auf dem Markt erhältliche Trench-SiC-MOSFET. Egal, ob planar oder Trench, uns ist vor allem der Durchlasswiderstand wichtig.

D&E: Und planar ist viel robuster als Trench, oder?

Lowe: Ganz genau.