Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Die Hauptplatine der Evaluierungsplattform wurde für eine maximale Spannung von 800 V und einen maximalen Pulsstrom von 130 A ausgelegt. Für Messungen bei höheren Temperaturen von bis zu +175 °C kann der Kühlkörper zusammen mit einem Heizelement verwendet werden.
Die Hauptplatine der Evaluierungsplattform wurde für eine maximale Spannung von 800 V und einen maximalen Pulsstrom von 130 A ausgelegt. Für Messungen bei höheren Temperaturen von bis zu +175 °C kann der Kühlkörper zusammen mit einem Heizelement verwendet werden.

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen, hat Infineon nun eine modulare Evaluierungsplattform herausgebracht. Dies soll die Markteinführungszeit für zahlreiche Anwendungen verkürzen und somit Siliziumkarbid massentauglich machen.

Der Doppelpulstest ist ein Standardverfahren für Entwickler, um das Schaltverhalten von Leistungshalbleitern zu evaluieren. Eine modulare Evaluierungsplattform vom Infineon Technologies soll das Testen von Treiberoptionen für den CoolSiC-MOSFET mit 1200 V Sperrspannung im TO247-3-Pin- und -4-Pin-Gehäusen erleichtern. Ihr Kernstück besteht aus einer Hauptplatine, auf die unterschiedliche Treiberkarten aufgesteckt werden können. Diese umfassen eine Option mit Miller-Clamp und eine für bipolare Versorgung; weitere Varianten sollen laut Hersteller in naher Zukunft auf den Markt kommen. Dieses Portfolio soll dazu beitragen, die Markteinführungszeit für zahlreiche Anwendungen zu verkürzen und somit Siliziumkarbid massentauglich zu machen.

Die Hauptplatine der Evaluierungsplattform ist in zwei Abschnitte unterteilt, die primäre Versorgungsseite und die sekundäre Seite. Auf der Primärseite werden die 12-V-Versorgung und die Pulsbreitenmodulation (PWM) angeschlossen. Auf der Sekundärseite befinden sich die Sekundärversorgung des Treibers sowie die Halbbrücke mit Anschlüssen für den Shunt zur Strommessung und die externe Induktivität. Die positive Betriebsspannung der Treiber kann zwischen +7,5 V und +20 V eingestellt werden, die negative Spannung zwischen ­0 V und –4,5 V. Die Hauptplatine wurde für eine maximale Spannung von 800 V und einen maximalen Pulsstrom von 130 A ausgelegt. Für Messungen bei höheren Temperaturen von bis zu +175 °C kann der Kühlkörper zusammen mit einem Heizelement verwendet werden.

Die Treiberkarten dienen als Referenzdesigns für zwei Ansteuerungsoptionen und enthalten Treiber-ICs aus der EiceDRIVER-Familie, die für das hochfrequente Schalten von SiC-Leistungsbauelementen geeignet sind. Die erste modulare Karte beinhaltet den 1EDC20I12MH aus der 1EDC-Compact-Familie mit einer integrierten aktiven Miller-Clamp, die typischerweise unter 2 V aktiviert wird. Die zweite Treiberkarte enthält den 1EDC60H12AH aus der gleichen Familie, der eine bipolare Versorgung ermöglicht, wobei VCC2 +15 V und GND2 negativ ist. Mit diesen beiden Treiberkarten deckt das Portfolio bereits jetzt einen großen Teil der von Designern bevorzugten Optionen für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs ab.

Alle drei Komponenten der modularen Evaluierungsplattform – Hauptplatine, Miller-Clamp- und bipolare Treiberkarten – können ab sofort bestellt werden. Eine weitere Treiberkarte mit Kurzschlusserkennung soll im Sommer 2020 ins Portfolio aufgenommen werden, eine Karte für SMD-Gehäusetests folgt in der zweiten Hälfte des Jahres 2020.