SLC-Flash Toshiba kündigt erste XL-Flash-Bausteine an

XL-Flash steht für »xtra low latency«.
XL-Flash steht für »xtra low latency«.

Die NAND-Speicherbausteine zeichnen sich durch besonders schnelle Zugriffszeiten aus und adressieren den Markt für Server-Massenspeicher.

Die neuen Speicherbausteine nutzen die bewährte »BiCS« 3D-Speichertechnik der NAND-Bausteine von Toshiba. Allerdings werden die XL-Bausteine nicht als Triple-Level-Cells (TLC) zur Speicherung von drei Bits verwendet, sondern als Single-Level-Cell (SLC) für nur ein Bit Speicherinhalt konfiguriert. Damit sinkt die Latenz bei den Zugriffen auf etwa ein Zehntel, verglichen mit TLC. Das »XL« im Namen steht wohl für »extra low latency«.

Mit ihrer Performance und höheren Zuverlässigkeit richten sich die Bausteine an Server-Hersteller, die die Kosten für hohe eine DRAM-Bestückung reduzieren wollen. Speicherzugriffe sind häufig ein Flaschenhals in Big-Data-Anwendungen.

XL-FLASH dürfte anfangs im SSD-Format (Solid State Drive) eingesetzt werden. Doch es lässt sich auch in Bausteinen nutzen, die auf dem DRAM-Bus angeordnet sind. Damit stehen sie im Wettbewerb zu Intels »Optane«-Speicher. Solche nichtflüchtigen Industrie-Standard-Module heißen auch NVDIMMs (non-volatile dual in-line memory module).

Die wichtigesten Kennzahlen der neuen Bausteine:

  • Zunächst soll es Silizium mit 128 Gbit geben, das in Packages mit zwei, vier oder acht Chips auf den Markt kommt.
  • Die Page Size beträgt nur 4 KB für effizienteres Lesen und Schreiben des Betriebssystems
  • Aufbau mit 16 Ebenen
  • Kurze Page-Read- und Programmierzeiten. XL-Flash hat eine Lese-Latenz von unter 5 µs, ist also etwa zehn Mal schneller als existierende TLCs.

Die Auslieferung von Sample-Stückzahlen beginnt im September 2019, der Anlauf der Massenfertigung wird für 2020 erwartet.