STMicroelectronics Superjunction-MOSFETs mit 1500 V

Durch den breiteren Abstand der Anschlüsse können die neuen Superjunction-MOSFETs von STMicroelectronics bis zu 1500 V sperren.
Durch den breiteren Abstand der Anschlüsse können die neuen Superjunction-MOSFETs von STMicroelectronics bis zu 1500 V sperren.

Eine Palette von Leistungstransistoren mit dem Gehäusetyp »TO-220 FullPAK« mit vergrößerter Kriechstrecke hat STMicroelectronics vorgestellt. Unter anderem zählt dazu ein Superjunction-MOSFET mit einer Sperrspannung von 1500 V.

Das TO-220FP-Wide-Creepage-Gehäuse eignet sich laut STMicroelectronics besonders für Leistungstransistoren in Open-Frame-Netzteilen. Der vergrößerte Anschlussabstand der Transistoren von 4,25 mm (normalerweise 2,54 mm) soll ein spezielles Vergießen ebenso überflüssig machen wie besonders geformte Anschlüsse, Schutzhülsen oder Versiegelungsmaßnahmen, um die Lichtbogenbildung zu verhindern. Netzteilhersteller können damit jetzt die einschlägigen Sicherheitsvorschriften erfüllen und die Ausfallhäufigkeit im Feld minimieren, ohne die genannten zusätzlichen Maßnahmen anwenden zu müssen. Gleichwohl bleiben die elektrischen Eigenschaften der populären Bauform TO-220FP. Die ähnlichen Außenabmessungen sollen zu einem einfachen Design-in beitragen und die Kompatibilität zu bestehenden Montageprozessen gewährleisten.

ST fährt derzeit für einen wichtigen, weltweit tätigen Hersteller von Fernsehgeräten die Produktion der Leistungstransistoren im TO-220FP-Wide-Creepage-Gehäuse hoch. Das Produktportfolio umfasst  vier vollständig qualifizierte 600-V-MOSFETs aus der Serie MDmesh M2 mit und Nennströmen von 8 A bis 34 A. Die Qualifikation der MDmesh K5-Bausteine »STFH12N150K5« (1500 V) und »STFH12N120K5« (1200 V) soll bis zum Ende des dritten Quartals 2016 erfolgen.