Interview mit Dan Kinzer »Silizium sollte sich warm anziehen«

Bild 4: Ralf Higgelke im Gespräch mit Dan Kinzer (links), CTO und COO von Navitas Semiconductor
Bild 4: Ralf Higgelke im Gespräch mit Dan Kinzer (links), CTO und COO von Navitas Semiconductor

Auf der PCIM 2016 hielt Dan Kinzer, CTO und COO von Navitas Semiconductor, eine der Keynotes. Die DESIGN&ELEKTRONIK traf ihn auf der APEC und sprach mit ihm über sein neuestes Projekt, die »AllGaN«-Plattform. Silizium sollte sich seiner Meinung nach nun warm anziehen.

Herr Kinzer, Navitas Semiconductor hat vor einigen Tagen seine »AllGaN«-Plattform vorgestellt. Erzählen Sie uns bitte ein wenig über das Unternehmen selbst und über das Management-Team.

Dan Kinzer: Navitas Semiconductor ist noch ein recht junges Unternehmen, gegründet Ende 2013. Gene Sheridan kam Anfang 2014 als CEO an Bord, ich selber zwei Monate später als COO und CTO. Wir beide haben schon über zwanzig Jahre bei International Rectifier zusammengearbeitet. Dann verließ Gene das Unternehmen, um das Start-up BridgeCo zu gründen. Ich selber war jahrelang CTO von International Rectifier, 2007 ging ich zu Fairchild Semiconductor und war dort auch CTO.

Nachdem Gene sein Unternehmen wieder verkauft hatte, suchte er nach einer neuen Herausforderung, und die tat sich in Form von Navitas auf. Ziel war es, einige der Forschungsergebnisse der Hughes Research Labs in Malibu, Kalifornien, umzusetzen. Er rief mich an, ob ich Lust habe, wieder mit ihm zusammenzuarbeiten. Und so kam es, dass wir dieses Start-up gründeten.

Welche Grundidee steht hinter AllGaN?

»AllGaN« ist ein bisschen auch ein Wortspiel, denn wir nutzen Aluminium-Galliumnitrid, kurz AlGaN, und Galliumnitrid, um sehr effiziente Leistungshalbleiter herzustellen. Die Grundidee hinter AllGaN ist, alles monolithisch in GaN auf Silizium zu integrieren. Also nicht nur den Schalttransistor selbst, sondern auch die gesamte Treiberstufe, ja letztlich jedes aktive Element des Schaltkreises. Darunter fallen auch Schutzschaltungen wie Undervoltage-Lockout. Nicht enthalten jedoch ist der PWM-Controller, der lässt sich ausreichend gut in Silizium herstellen.

Schalttransistor und Treiber in GaN zu implementieren und monolithisch zu integrieren hat den großen Vorteil, dass man das Gate sehr genau ansteuern kann. Das betrifft nicht nur das Timing, sondern auch die Menge an Energie, die nötig ist, um die FETs ein- und wieder auszuschalten. Dadurch gibt es kein Nachschwingen und kein Überschwingen.

Das ist ja wichtig bei Wide-Bandgap-Halbleitern. Warum eigentlich?

Die Gate-Spannung muss viel genauer kontrolliert werden als bei Silizium. Es gibt zwar einen gewissen Sicherheitsabstand bei Gate-Überspannungen, aber um die Schalter auf die effizienteste Art zu treiben und ihre Lebenserwartung zu optimieren, sollte die Gate-Spannung zwischen fünf und sieben Volt liegen.

Wann werden sie die ersten Muster haben, und wann läuft die Serienfertigung an?

Auf der letztjährigen APEC zeigten wir einer handverlesenen Gruppe erste Muster im Betrieb. Seither haben wir an sogenannten Demonstrations-Boards gearbeitet, die das Potenzial dieser Technologie veranschaulichen sollen. Produktionsstatus werden wir noch im Sommer diesen Jahres erreichen.