Infineon / Siliziumkarbid SiC-Power-Modul für USV und Energiespeicherung

Das neue Leistungsmodul CoolSiC Easy 2B von Infineon ist ein Halbbrücken-Modul mit einem Einschaltwiderstand (RDS(ON)) pro Schalter von nur 6 mΩ.
Das neue Leistungsmodul CoolSiC Easy 2B von Infineon ist ein Halbbrücken-Modul mit einem Einschaltwiderstand pro Schalter von nur 6 mΩ.

Um der Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid gerecht zu werden, hat Infineon seine CoolSiC-Familie um ein Easy-2B-Modul mit 1200 V ergänzt. Dieses eignet sich besonders für schnell schaltende Anwendungen wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Energiespeicher.

CoolSiC Easy 2B heißt ein neues 1200-V-Modul im Standardgehäuse Easy 2B von Infineon. Damit sollen Anwender die Leistungsdichte in ihren Applikationen erhöhen und damit die Systemkosten senken können. Gleiche gilt laut Hersteller auch für die Betriebskosten. Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) pro Schalter liegt bei nur 6 mΩ, sodass die Schaltverluste um rund 80% gegenüber Silizium-IGBTs sinken und Wechselrichtern damit Wirkungsgrade von über 99% erreichen können. Durch die speziellen Eigenschaften des Halbleitermaterials Siliziumkarbid (SiC) lassen sich die Anwendungen bei gleicher oder sogar höherer Schaltfrequenz betreiben.

Das Easy-2B-Gehäuse zeichnet sich durch eine äußerst geringe Streuinduktivität aus. Mit einer Vielzahl von Halbbrücken-, Six-Pack- und Booster-Modulen bietet Infineon nach eigenem Bekunden das größte SiC-Portfolio im Easy-Gehäuse auf dem Markt. Die Halbbrückenkonfiguration des CoolSiC Easy 2B eignet sich auch für den Aufbau von Four- und Six-Pack-Topologien.

Die integrierte Body-Diode des CoolSiC-MOSFETs sorgt darüber hinaus für eine verlustarme Freilauffunktion ohne zusätzlich notwendigen Dioden-Chip. Während der NTC-Temperatursensor die Überwachung des Moduls erleichtert, reduziert die PressFIT-Technik die Montagezeit. Die neuen Module sind ab sofort erhältlich.