Entwicklungshilfe SiC-JFETs korrekt ansteuern

Siliziumkarbid-JFETs sind eine neue Klasse an Leistungsschaltern, die ein wenig anders anzusteuern sind als Silizium-MOSFETs. Um Entwicklern die Scheu vor dieser neuen Technik zu nehmen, ist nun ein entsprechendes Demo-Board erschienen.

Das Demo-Board eines Zweikanal-Gate-Treibers von SemiSouth soll Entwicklungskosten sparen und die Entwicklungszeit bei Stromversorgungsmodulen mit SiC-JFETs verkürzen. Das »SGDR2500P2« bietet opto-isolierte High-Side- und Low-Side-Ausgänge, die für Spitzenströme von +20 A und -10 A ausgelegt sind. Zusätzliche Trenntransformatoren sind überflüssig.

Das Board wurde für das schnelle, »harte« Schalten bestimmter Stromversorgungen - darunter das 1200-V/100-A-Halbbrückenmodul »APTJC120AM13VCT1AG« von Microsemi - optimiert, kann aber auch als zeitsparendes Evaluation-Board für Projekte in der Entwicklungs- oder Qualifizierungsphase dienen. Das SGDR2500P2 erzeugt selbst galvanisch getrennte ±15-V-Betriebsspannungen und macht dadurch zusätzliche Stromversorgungen überflüssig.

Es erlaubt Schaltfrequenzen bis zu 100 kHz, sodass Anwender die hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften der SiC-Technologie nutzen und kleinere, preisgünstigere Induktivitäten einsetzen können. Das Board erlaubt Tastverhältnisse zwischen 0% und 100%. Typische Anwendungen sind »hart« schaltende Brückentopologien, Wechselrichter und Wandler sowie Produktevaluierung. Die Funktionsweise wird ausführlich in dem Applikationsbericht AN-SS05 beschrieben.