Power-MOSFET Renesas präsentiert 600-V-Super-Junction-MOSFET

Bis zu 20 A leitet der 600-V-MOSFET »RJK60S5DPK«
Bis zu 20 A leitet der 600-V-MOSFET »RJK60S5DPK«

Mit dem »RJK60S5DPK« hat Renesas Electronics sein erstes Produkt aus einer Serie von Hochspannungs-MOSFETs vorgestellt, die eine Super-Junction-Struktur nutzen. Der On-Widerstand liegt bei 150 mΩ, die Gate-Ladung bei 6 nC.

Besonders um den Wirkungsgrad von Netzteilen in  PC-Servern, Mobilfunk-Basisstationen und Solarstrom-Systemen zu steigern, hat Renesas den 600-V-MOSFET »RJK60S5DPK« entwickelt. Er erreicht in seinem TO-3P-Gehäuse einen On-Widerstand von 150 mΩ (bei ID = 10 A, UGSS = 10 V). Dieser Wert liegt um etwa 52 Prozent niedriger als bei den bestehenden Power-MOSFETs des Herstellers. Bei den gleichen Randbedingungen liegt die Gate-Ladung QGD bei 6 nC, was sich auf die Schaltgeschwindigkeit auswirkt. Dieser Wert ist um circa 80 Prozent kleiner als bei den bestehenden Produkten von Renesas.

Renesas Electronics plant nach eigenen Angaben eine Reihe von Leistungselektronik-Produkten mit anderen Werten und in kleineren Gehäuseformen, so zum Beispiel Produkte im TO-220FL (10 mm x 15 mm), die die Leistung bestehender Produkte im Gehäuseformat TO-3P (15,6 mm x 19,9 mm) bieten.