Fertigung von Leistungshalbleitern Mitsubishi Electric erwirbt Standort von Sharp

Um der steigender Nachfrage nach Leistungshalbleitern nachzukommen, hat Mitsubishi Electric für umgerechnet 167 Mio. Euro Gebäude und Grundstücke von Sharp in der japanischen Präfektur Hiroshima erworben. Der Standort soll im November 2021 in Betrieb gehen.

Die Nachfrage nach Leistungshalbleitern, die zur effizienten Steuerung elektrischer Energie benötigt werden, steigt parallel zu den Bemühungen um Energieeinsparung und Schutz der globalen Umwelt durch Maßnahmen zur Reduzierung des CO2-Ausstoßes, einschließlich der laufenden Elektrifizierung von Automobilen weltweit, rapide an.

Um dieser wachsenden Nachfrage gerecht zu werden, begann Mitsubishi Electric nach potenziellen neuen Produktionsstandorten zu suchen. Infolgedessen hat das Unternehmen mit der Sharp nun vereinbart, für etwa 20 Mrd. Yen (ca. 167 Mio. Euro) Gebäude und Grundstücke von Sharp Fukuyama Semiconductor, einer hundertprozentigen Tochtergesellschaft von Sharp in Fukuyama, Präfektur Hiroshima, Japan, zu erwerben.

Die erworbenen Liegenschaften, die ein dreistöckiges Gebäude mit 46.500 m² Gesamtfläche umfasst, werden dem Geschäftsbereich Power Device Works von Mitsubishi Electric als neuer Standort für die Prozessierung von Wafern für Leistungshalbleiter dienen. Mit neuen Produktionsanlagen, die im November nächsten Jahres in Betrieb gehen sollen, kann Mitsubishi Electric sein Geschäft mit Leistungshalbleitern ausbauen.