SiCrystal und STMicroelectronics Mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer

Bild 4. SiC-Wafer von Rohm.
Bild 4. SiC-Wafer von Rohm.

Wie hoch der erwartete Bedarf an Siliziumkarbid-MOSFETs besonders für die Elektromobilität ist, zeigt sich am Beispiel von STMicroelectronics. Nun hat das Unternehmen mit der Rohm-Tochter SiCrystal ein mehrjähriges Lieferabkommen für SiC-Wafer angekündigt.

Nur wenige Wochen nachdem STMicroelectronics sein Lieferabkommen mit Cree verdoppelt hat und den SiC-Wafer-Hersteller Norstel übernommen hat, hat das Unternehmen auch mit der zum Rohm-Konzern gehörenden SiCrystal ein mehrjähriges Lieferabkommen im Umfang von über 120 Millionen US-Dollar für 150-mm-SiC-Wafer angekündigt. Dieses soll die Flexibilität industrieller Anwendungen erhöhen und die kommerzielle Expansion von SiC-Produkten im Automobilbereich und in der Industrie  unterstützen. Denn der Halbleiterhersteller verzeichnet eine steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern.

»Dieses weitere langfristige Lieferabkommen für SiC-Substrate ergänzt die bereits gesicherten externen und internen Kapazitäten, die wir aufbauen. ST kann somit das Volumen und die Auslastung der Wafer erhöhen, die benötigt werden, um in den nächsten Jahren die hohe Nachfrage von Kunden für Automobil- und Industrieprogramme zu befriedigen«, kommentiert Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics.

„Wir bei SiCrystal freuen uns sehr über dieses Lieferabkommen mit unserem langjährigen Kunden ST. Wir werden unseren Partner beim Ausbau des Siliziumkarbid-Geschäfts weiterhin unterstützen, indem wir die Wafermengen kontinuierlich steigern und jederzeit zuverlässige Qualität liefern«, sagt Dr. Robert Eckstein, Präsident und CEO von SiCrystal.