Gehäuse für Hochspannungs-MOSFETs Kleine Kraftpakete

Das Gehäuse ist bekanntlich ein Schlüsselelement für die Leistungsfähigkeit eines MOSFETs. Ein neues Leadless-SMD-Gehäuse ist mit 8 mm x 8 mm Grundfläche etwa 60% kleiner als ein D2PAK – bei einer Höhe von gerade einmal 1 mm.

Unter den Namen »ThinPAK 8x8« beziehungsweise »PowerFLAT 8x8 HV« vermarkten Infineon sowie STMicroelectronics das neue Gehäuse für Hochspannungs-MOSFETs. Das neue Gehäuse ist durch eine sehr geringe Source-Induktivität von 2 nH (im Vergleich zu 6 nH beim D2PAK), eine separate Treiber-Source-Verbindung (sauberes Gate-Signal) sowie eine mit dem D2PAK vergleichbare thermische Performance gekennzeichnet. Ein exponiertes Drain-Pad aus Metall sorgt für eine effiziente Wärmeableitung. Das neue Gehäuse ermöglicht ein schnelleres und damit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs.

Darüber hinaus ist es im Hinblick auf das Schaltverhalten und die elektromagnetische Abstrahlung (EMI) einfacher zu handhaben. Qualifikationsmuster des neuen Gehäuses sind bereits verfügbar Infineon wird anfangs drei 600-V-»CoolMOS«-Bausteine im ThinPAK 8x8 anbieten: den »IPL60R199CP« mit 199 mΩ Einschaltwiderstand, den »IPL60R299CP« mit 299 mΩ und den IPL60R385CP mit 385 mΩ. ST wird sein »MDmesh-V«-Portfolio durch MOSFETs im PowerFLAT-8x8-HV-Gehäuse ergänzen, der 650-V-Baustein »STL21N65M5« ist bereits zu haben. Dieser zeichnet sich durch einen RDS(on) von 190 mΩ aus sowie durch einen thermischen Übergangswiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (Rth,JC) von 1,0 K/W.