Power-MOSFETs International Rectifier: »HEXFET«-Bausteine für 40 V bis 250 V

Durch neu hinzugekommenen Power-MOSFETs kann International Rectifier nun Typen zwischen 40 V und 250 V anbieten

Da 15 neue »HEXFETs« hinzugekommen sind, kann International Rectifier nun bietet eine vollständige Baureihe für Sperrspannungen zwischen 40 V und 250 V in einem 5 mm x 6 mm großen PQFN-Gehäuse mit optimiertem Copper-Clip und Solder-Die bieten.

Die Power-MOSFETs mit der Bezeichnung »IRFH5xxxTRPBF« werden in IRs modernster Siliziumtechnologie hergestellt, und bei den neu hinzugekommenen Typen reichen Kennwerte von 40 V/100 A bis 200 V/41 A. Sie wurden für Schaltapplikationen entwickelt, unter anderem für DC/DC-Wandler in Netzwerk- und Telekommunikationsgeräte, für Schaltnetzteile sowie für Schalter im Bereich von Antrieben. Mit einer Bauhöhe von 0,9 mm und einer Anschlussbelegung entsprechend dem Industriestandard soll der hohe Nennstrom und der niedrige Durchlasswiderstand (2,6 mΩ bis 59 mΩ) im Vergleich zu Alternativlösungen, die mehrere parallele Teile benötigen, einen höheren Wirkungsgrad ermöglichen sowie eine höhere Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sie sich besonders für Schaltanwendungen mit beschränktem Platzangebot.

Sämtliche Bausteine weisen einen Wärmewiderstand von unter 0,5 K/W auf, sind nach MSL1 für den Industrieeinsatz qualifiziert und RoHs-konform, weil sie weder Blei noch Bromid oder Halogen enthalten.