Dialog Semiconductor Hochintegriertes GaN-Bauteil für Schnelladegeräte

Der DA8801von Dialog Semiconductor umfasst Schaltungselemente wie Gate-Ansteuerung, Pegelumsetzer und mit 650-V-GaN-Leistungsschalter.
Der DA8801von Dialog Semiconductor umfasst Schaltungselemente wie Gate-Ansteuerung, Pegelumsetzer und mit 650-V-GaN-Leistungsschalter.

Dialog Semiconductor hat seine ersten Galliumnitrid-Power-ICs vorgestellt, der auf dem einem GaN-auf-Silizium-Prozess von TSMC basiert. Der »SmartGaN DA8801« integriert monolithisch GaN-Leistungs-FETs zusammen mit analogen Treiber- und Logikschaltungen in einer 650-V-Halbbrücke.

Zusammen mit den digitalen Schnelllade-Controllern von Dialog Semiconductor soll es der DA8801 effizientere und kleinere Steckernetzteile mit höherer Leistungsdichte ermöglichen, als es bei herkömmlichen Designs mit Silizium-MOSFETs möglich ist. Dialog zielt mit seinen GaN-Lösungen zunächst das schnelle Aufladen von Smartphone und Laptops. Musterstückzahlen sollen im vierten Quartal 2016 zur Verfügung stehen

Bereits zur APEC 2016 hat Dan Kinzer von Navitas Semiconductor ein monolithisch integriertes IC bestehend aus GaN-Schaltern und Treiber angekündigt. Kommt damit Dialog ihnen in der Auslieferung zuvor?

Der DA8801 umfasst Schaltungselemente wie Gate-Ansteuerung, Pegelumsetzer und mit 650-V-Leistungsschalter. Damit sollen laut Hersteller die Verluste bei einem von bis zu 94 Prozent Wirkungsgrad um bis zu 50 Prozent sinken. Durch die monolithische Integration von GaN-Schalter und Treiberschaltung sind komplexe Schaltungen, um diskrete GaN-Leistungsschalter treiben, unnötig.

Ein Produktvideo finden Sie hier.