Fünfjahresvertrag abgeschlossen GTAT beliefert ON Semiconductor mit SiC-Rohmaterial

150-mm-SiC-Wafer für Leistungshalbleiter

Einen 50 Mio. US-Dollar schweren Liefervertrag über das Siliziumkarbid-Material CrystX haben dessen Hersteller GT Advanced Technologies (GTAT) und ON Semiconductor geschlossen. Damit möchte ON Semiconductor sein Lieferantennetzwerk breiter aufstellen.

Nach einem langjährigen Liefervertrag mit Cree und der Ankündigung, eine eigene Rohmaterialfertigung über jährlich 30.000 SiC-Wafer aufzubauen, hat ON Semiconductor nun mit GT Advanced Technologies (GTAT) einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag bei über SiC-Rohmaterial abgeschlossen. Im Rahmen dieser Vereinbarung im Wert von 50 Mio. US-Dollar wird GTAT sein Siliziumkarbid-Material CrystX produzieren und an ON Semiconductor liefern. GTAT mit Hauptsitz in Hudson, N.H., USA, produziert Siliziumkarbid- und Saphir-Materialien für wachstumsstarke Märkte.

ON Semiconductor wird den proprietären 150-mm-SiC-Kristall von GTAT verwenden, um selbst SiC-Wafer herzustellen. Damit will ON Semiconductor seine Rolle als vertikal integrierter Anbieter innerhalb der SiC-Lieferkette weiter ausbauen und sein Angebot auf Spitzenniveau halten. Die Vereinbarung wird die Verfügbarkeit von branchenweit führendem Siliziumkarbid fördern, um Entwicklern bei der Lösung ihrer höchst anspruchsvollen Designherausforderungen zu helfen.

»Wir freuen uns sehr über die Partnerschaft mit ON Semiconductor, einem anerkannten globalen Marktführer im Bereich hochmoderner Halbleiter für leistungselektronische Anwendungen«, sagte Greg Knight, President und Chief Executive Officer bei GTAT. »Die Vereinbarung trägt dazu bei, die rasante Marktentwicklung von Siliziumkarbid als bevorzugtem Substratmaterial für leistungselektronische Anwendungen zu adressieren.«

»Durch die Kombination aus 40 Jahren Erfahrung in der Volumenproduktion von Wafern bei ON Semiconductor mit dem Know-how von GTAT und dem rasanten Fortschritt beim Züchten von SiC-Kristallen schaffen wir eine solide und skalierbare Lieferkette für den aufstrebenden Markt für Wide-Bandgap-Wafer«, fügte Brent Wilson, Senior Vice President of Global Supply Chain bei ON Semiconductor, hinzu. »Wir freuen uns, mit GTAT zusammenzuarbeiten, um die Technologie des Wide-Bandgap-Materials Siliziumkarbid weiterzuentwickeln und unsere führende Position in diesem sich rasch entwickelnden Bereich zu stärken.«