Sanan IC Foundry-Plattformen für SiC und GaN

Wafer in der Halbleiterproduktion

Ein erweitertes Portfolio an Prozessen für die Fertigung von Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern bietet nun die chinesische Spezialfoundry Sanan IC weltweit an. Diese umfasst unter anderem Siliziumkarbid-Bausteine für 650 V und 1200 V sowie Galliumnitrid-HEMTs für 650 V.

»Der Mutterkonzern von Sanan IC, Sanan Optoelectronics, verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Herstellung von Verbindungshalbleitern in hohen Stückzahlen. Dies veranlasste uns dazu, eine eigene Palette von Wide-Bandgap-Prozesstechnologien für die Leistungselektronik zu entwickeln«, erklärt Raymond Cai, CEO von Sanan IC. Er ergänzt: »Auch sind wir uns bewusst, dass die Leistungselektronikbranche Zugang zu modernen Foundry-Dienstleistungen benötigt. Wir können den wachstumsstarken Märkten für Leistungselektronik eine umfassende Plattform für Produktprototypen bieten, indem wir die Eintrittsbarrieren senken und Massenproduktion mit gutem Service, Sicherheit und Qualitätskontrolle verbinden.«

Daher hat Sanan IC nun bekannt gegeben, dass es weltweit Zugang zu ihrem wachsenden Portfolio an Foundry-Dienstleistungen für die Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter bietet. Dabei handelt es sich um Siliziumkarbid-Bausteine für 650 V und 1200 V Nennspannung sowie Galliumnitrid-HEMTs (High Electon Mobility Transistor) mit 650 V.

Im Juni 2019 bereits brachte Sanan IC die G06P111 auf den Markt, eine JEDEC-qualifizierte Prozesstechnik für selbstsperrende 650-V-GaN-HEMTs vom Anreicherungstyp (Enhancement Mode). Seitdem hat das Unternehmen mehrere MPW-Shuttle-Läufe (Multi-Project Wafer) für den GaN-Prozess durchgeführt. Mithilfe der Prozessdesignkits (PDKs) und der E-Foundry-Dienstleistungen können Entwickler das Design und die Leistungsmerkmale von GaN-Bauelementen kennenlernen. Dies soll gewährleisten, dass die Designs vor dem Start der Massenproduktion auf Anhieb richtig funktionieren.

Für das Jahr 2020 plant das Unternehmen, MPW-Läufe für eine Vielzahl von Technologien anzubieten, einschließlich für Enhancement-Mode-GaN-Technologien mit 200 V und 100 V Sperrspannung und den M3-Prozess für Designs mit hohen Strömen. Auch ist geplant, zusätzliche Technologien wie integrierte GaN-Schaltungen (ICs) und hochzuverlässige Depletion-Mode-MISFETs zu entwickeln. Diese sollen im Laufe des Jahres 2020 in das Portfolio von Sanan IC hinzukommen.