Marktstudie von Yole Développement Die GaN-Halbleiterindustrie ist Fast & Furious

Galliumnitrid - Halbleitermaterial mit hoher Bandlücke.
Galliumnitrid - Halbleitermaterial mit hoher Bandlücke.

Nach so manchen Höhen und Tiefen ist Galliumnitrid am Markt angekommen. Marktforscher von Yole haben nun die Studie »Power GaN 2016: Epitaxy & Devices, Applications & Technology Trends« vorgestellt. Sie prognostizieren ein Marktvolumen von 280 Millionen US-Dollar in 2021 mit einem CAGR von 86 %.

Spannende Jahre liegen hinter dem Geschäft mit GaN-Leistungsschaltern: Bis Ende 2014 war die kommerzielle Verfügbarkeit von GaN-HEMT mit 600 V/650 V Sperrspannung trotz einiger Ankündigungen von verschiedenen Marktteilnehmern noch fragwürdig. Im Jahr 2016 können Endanwender nun nicht nur Niederspannungs-GaN-Transistoren für Spannungen bis 200 V von Efficient Power Conversion (EPC) beziehen, sondern auch 600-V/650-V-Komponenten von mehreren Herstellern wie Transphorm, GaN Systems und Panasonic.

Darüber hinaus hat das Start-up Navitas Semiconductor im März 2016 ihre GaN-Power-ICs angekündigt, gefolgt von Dialog Semiconductor, das seine ICs im August 2016 vorgestellt hat. Die Idee, GaN nicht nur als diskrete Schalter sondern als integrierte Lösung auf den Markt zu bringen, ist auch für andere Spieler interessant. Beispielsweise sollen EPC und GaN Systems an einer stärker integrierten Lösung arbeiten. Auch Texas Instruments verfolgt eigene GaN-Aktivitäten, und hat letztes Jahr bereits eine 80-V-Leistungsstufe vorgestellt, in diesem Jahr eine 600-V-Leistungsstufe.

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GaN-Marktstudie von Yole Développement

Nach so manchen Höhen und Tiefen ist Galliumnitrid am Markt angekommen. Marktforscher von Yole haben nun die Studie »Power GaN 2016: Epitaxy & Devices, Applications & Technology Trends« vorgestellt. Sie prognostizieren ein Marktvolumen von 280 Millione