III-V-Verbindungshalbleiter Chinesische Foundry Sanan IC expandiert auf den Weltmarkt

Mit seiner III-V-Technologieplattform steigt Sanan IC in den amerikanischen, europäischen und asiatisch-pazifischen Markt ein. Mit der Unterstützung des Mutterkonzerns Sanan Optoelectronics bietet es 6-Zoll-Epiwafer in GaAs, GaN, SiC und InP für HF, Millimeterwellen, Leistungselektronik und Optik.

»Wir sehen enorme Chancen darin, die weltweit stark steigende Nachfrage nach 6-Zoll- Epiwafern zu bedienen, die durch das kontinuierliche Wachstum der Märkte für HF, Millimeterwellen, Leistungselektronik und Optik getrieben wird«, glaubt Raymond Cai, CEO von Sanan IC.

Da sich die Mobiltelefonie und die drahtlose Konnektivität im Internet der Dinge (IoT) stark ausbreiten und sich der 5G-Standard in Richtung Millimeterwellen bewegt, werden III-V-Halbleiterchips noch wichtiger, um die Infrastruktur und die Geräteanbindung durch die Mobilfunkanbieter weltweit zu unterstützen. Vor allem diese Anwendungen möchte Sanan IC unterstützen. Das Portfolio an Prozesstechnologien umfasst GaAs-HBT, -pHEMT, -BiHEMT, integrierte passive Bauelemente (IPD), Filter, GaN-Power-HEMTs, Siliziumkarbid (SiC) und InP-DHBT. Damit eignen sich die daraus gebauten Chips auch für die Leistungselektronik und die Optoelektronik.

Sanan IC wurde 2014 mit Sitz in Xiamen City in der Provinz Fujian in Südchina gegründet und ist eine Tochtergesellschaft von Sanan Optoelectronics, einem führenden Hersteller von LED-Chips, die auf GaN- und GaAs-Technologien basieren. Sanan IC nutzt die Großserienproduktion und jahrelange Investitionen in zahlreiche Epitwafer-Reaktoren des Mutterkonzerns. Ziel ist es, die Bedürfnisse von eigenständigen Designfirmen und Fabless-Designhäusern an die hochvolumige Herstellung von Verbindungshalbleiter zu erfüllen.