8 Kandidaten zur Wahl zum "Innovator des Jahres" in der Rubrik Chip-Fertigung.

Die 12FDX-Technologie basiert auf einer 12nm vollständig ausgebauten Silicon-on-Insulator (FD-SOI)-Plattform, die die Leistung von 10nm FinFET mit niedrigerer Stromaufnahme und niedrigeren Kosten als 16nm FinFET ermöglicht. 12FDX kombiniert HF, Analog und Embedded-Speicher sowie fortschrittliche Logik auf einem einzigen Chip und bietet gleichzeitig eine dynamische Spannungsskalierung.

Die 12FDX-Technologie basiert auf einer 12nm vollständig ausgebauten Silicon-on-Insulator (FD-SOI)-Plattform, die die Leistung von 10nm FinFET mit niedrigerer Stromaufnahme und niedrigeren Kosten als 16nm FinFET ermöglicht. 12FDX kombiniert HF, Analog und Embedded-Speicher sowie fortschrittliche Logik auf einem einzigen Chip und bietet gleichzeitig eine dynamische Spannungsskalierung.