6 Kandidaten zur Wahl zum »Innovator des Jahres« in der Rubrik Analog- und Powermanagement-ICs

TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 400 A: Der 40-V-MOSFET im TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) benötigt im Vergleich zu einem Bauteil im TO-263-Gehäuse (D2PAK) bei höherer Stromtragfähigkeit 30 Prozent weniger Fläche auf der Platine. Aufgrund der Clip-Kontaktierung bietet das TOLL-Gehäuse einen sehr niedrigen Package-Widerstand und eine niedrige Induktivität im Vergleich zu anderen TOLL-Gehäusen mit Standard-Bondtechnik.

TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 400 A: Der 40-V-MOSFET im TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) benötigt im Vergleich zu einem Bauteil im TO-263-Gehäuse (D2PAK) bei höherer Stromtragfähigkeit 30 Prozent weniger Fläche auf der Platine. Aufgrund der Clip-Kontaktierung bietet das TOLL-Gehäuse einen sehr niedrigen Package-Widerstand und eine niedrige Induktivität im Vergleich zu anderen TOLL-Gehäusen mit Standard-Bondtechnik.