Joint Lab am Ferdinand-Braun-Institut Bauelemente für die Terahertz-Elektronik erforschen

Wafer mit monolithisch-integrierten Indiumphosphid-HBT-Schaltungen
Wafer mit monolithisch-integrierten Indiumphosphid-HBT-Schaltungen

Am neu gegründeten Joint Lab InP Devices in Berlin sollen Halbleiterstrukturen und -bauelemente für Terahertz-(THz)-Anwendungen erforscht und integrierte Komponenten für den Einsatz der elektronischen THz-Technologie entwickelt werden.

Das Joint Lab InP Devices greift auf die komplementären Infrastrukturen des Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) in Berlin und des Zentrums für Halbleitertechnik und Optoelektronik (ZHO) der Universität Duisburg-Essen (UDE) zu und will so grundlegende Materialforschung gezielt in angewandte Schaltkreise und Module umsetzen. Anwendungsfelder sollen unter anderem in der zerstörungsfreien Materialprüfung, der hochauflösenden medizinischen Bildgebung sowie in Breitbandkommunikations-Systemen liegen.

Das für Höchstfrequenzanwendungen wichtige Halbleitermaterial Indiumphosphid (InP) spielt hierbei eine besondere Rolle. Mit InP-basierten MMICs lassen sich höchste Frequenzen im Terahertz-Band erreichen – dieses ist heute nur mit hohem Aufwand im Labormaßstab zugänglich – und somit neue Systemanwendungen kostengünstig realisieren.

Die InP-Prozesstechnologie des FBH wird zurzeit in der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland im Rahmen der Hightech-Strategie der Bundesregierung ausgebaut. Im ZHO wird das Kristallwachstum von InP-Halbleiterschichten durch eine Investition im Rahmen der ForLab-Initiative des Bundesministeriums für Bildung und Forschung auf den neuesten Stand gebracht. Weiterhin entsteht am ZHO ein von der Landesregierung Nordrhein-Westfalen und der Europäischen Union mit EFRE-Mitteln gefördertes Terahertz-Integrationszentrum, um Konzepte zur Modulintegration von THz-Komponenten zu erforschen.