Schwerpunkte

ROHM Semiconductor GmbH

ROHM Semiconductor GmbH

Karl-Arnold-Str. 15
47877 Willich, Deutschland

E-Mail:
Internet: https://www.rohm.com/

Telefon: 02154/921-0
Fax: 02154/921-400

  • Hochleistungs-LEDs
  • Power Supply Monitoring IC
  • 1.200V-IGBTs für Automobilanwendungen
  • Kionix - Beschleunigungssensoren mit integrierter Rauschfilterfunktion an
  • ROHM-Tochter SiCrystal und STMicroelectronics - mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer
  • Hocheffiziente Power-Management-IC für NXPs i.MX 8M Nano-Applikationsprozessore
  • Intelligente Leistungshalbleiter für eigenständigen Systemschutz
  • Shunt-Widerstände im kompakten 5,0 mm x 2,5 mm Gehäuse mit hoher Nennleistung von 4 W
  • Neue lineare 4-Kanal-LED-Treiber-ICs für Motorrad-Rückleuchten
    BD183x7EFV-M-Serie verringert Platinenfläche und Designaufwand für LED-Leuchten
  • ROHM mit neuen 2,8 W-Hochleistungs-Lautsprecher-Verstärker-ICs für digitale Kombiinstrumente
    BD783xxEFJ-M Serie optimiert Sprachausgabe für autonome Fahrsysteme und ADAS
  • Neues Web-Simulationstool: vollständige Schaltungsverifikation von Leistungsbauelementen und ICs
  • LED-Treiber für LED-Leuchten im Automobil
    BD18336NUF-M gewährleistet bei Spannungsabfällen der Batterie stets stabile Beleuchtung
  • ROHMs neue SiC-MOSFETs der 4. Generation mit branchenweit niedrigstem Einschaltwiderstand
    Hochentwickeltes Design für Hauptantriebs-Wechselrichter in Elektrofahrzeugen
  • ROHMs neue Nano Cap™ Stromversorgungstechnologie reduziert die Kapazitäten beträchtlich
    ROHM kündigt mit Nano Cap™ eine neue Stromversorgungstechnologie an, die selbst bei ultrakleinen Kapazitäten im nF-Bereich (Nano: 10-9) eine stabile Regelung von Stromversorgungs-schaltungen in Automobil- und Industrieanwendungen gewährleistet.
  • Schwingungen verhindern: ROHM stellt neuen Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker vor
    CMOS-Operationsverstärker erweitert extrem rauschunempfindliche EMARMOURTM-Serie zur Erkennung von Störungen
  • Entwicklung SiC-basierter Automobil-Wechselrichter: ROHM und LEADRIVE gründen gemeinsames Labor
    ROHM und Leadrive Technology (LEADRIVE), der führende chinesische Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb mit Hauptsitz in Shanghai, eröffnen ein gemeinsames Forschungslabor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) in der Shanghaier Freihandelszone (Lingang New Area).
  • Elektromobilität - Vitesco Technologies und ROHM kooperieren bei Siliziumkarbid Leistungshalbleitern
    Vitesco Technologies hat ROHM Semiconductor als bevorzugten Partner für Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter ausgewählt
  • ROHM präsentiert blau-grüne Chip-LEDs für Color Universal Design Anwendungen
    SMLD12-Serie verbessert die Wahrnehmung von Menschen mit Farbfehlsichtigkeit 1608-size Blue-green chip LEDs
  • ROHM präsentiert Sprachsynthese-IC für ADAS und AVAS
    Sprachsynthese mit Tonkontinuitätserkennung für Automobilanwendungen automotive speech synthesis ICs LAPIS Semiconductor, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, kündigt mit der ML2253x-Serie Sprachsynthese-ICs für Automobilanwendungen an, die für akustische Benachrichtigungen und Soundeffekte in ADAS (Advanced Driver Assistance System) und AVAS (Acoustic Vehicle Alerting System) optimiert sind.
  • ROHMs neue kompakte Hochleistungs-LEDs mit integrierten Linsen vermeiden Lichtverluste in Kfz-Kombininstrumenten
  • Nulldurchgangserkennungs-ICs für Haushaltsgeräte
    BM1ZxxxFJ-Serie minimiert die Leistungsaufnahme im Standby-Betrieb und verbessert die Zuverlässigkeit ROHM bietet mit der BM1ZxxxFJ, Serie integrierte ICs zur Nulldurchgangserkennung, die für Haushaltsgeräte wie Staubsauger, Waschmaschinen und Klimaanlagen optimiert sind.
  • Primäre DC/DC-Wandler für Automobilanwendungen
    BD9P-Serie gewährleistet stabilen Betrieb und geringere Stromaufnahme ROHM bietet mit der BD9P-Serie zwölf primäre DC/DC-Wandler für Automobilanwendungen. Die neuen Bauelemente sind im VQFN20FV4040-Gehäuse mit Abmessungen von 4,0 mm x 4,0 mm x 1,0 mm bzw. im HTSSOP-B20-Gehäuse mit Abmessungen von 6,5 mm x 6,4 mm x 1,0 mm erhältlich und bieten eine Schaltfrequenz von 2,2 MHz. Zur Versorgung werden Spannungen von 3,5 V bis 40 V benötigt. Als Ausgangsspannungen liefern die DC/DC-Wandler je nach Version 0,8 V bis 8,5 V. Der maximale Ausgangsstrom beträgt 1,0 A bzw. 2,0 A. Die BD9P-Serie arbeitet im Temperaturbereich von –40 °C bis +125 °C. Sie ist optimiert für ADAS-Sensoren (Advanced Driver Assistance System), Kameras und Radargeräte sowie für Fahrzeug-Infotainment und Kombiinstrumente.
  • Continental zeichnet ROHM Semiconductor mit "Supplier of the Year 2019 Award" aus
    Die Continental Automotive Group zeichnet ROHM Semiconductor in der Kategorie „Diskrete Halbleiter“ mit dem „Supplier of the Year 2019 Award“ für besonders herausragende Leistungen aus. Seit 2008 führt Continental jährlich eine breit angelegte Analyse durch, um außergewöhnliche Beiträge zur Kundenzufriedenheit und den Kategorien Qualität, Technologie, Engagement, Kosten und Einkaufskonditionen hervorzuheben. Dies ist das fünfte Mal innerhalb der letzten zehn Jahre, dass ROHM diese renommierte Auszeichnung erhält. In diesem Jahr wurde die Auszeichnung im Rahmen einer virtuellen Zeremonie verliehen.
  • ROHMs neue VCSEL-Modul-Technologie: Optimierung der 3D-Erkennung und Entfernungsmessung um 30%
    ROHMs neu entwickelte VCSEL-Technologie (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) erreicht im Einsatz von Laufzeitsystemen (Time Of Flight, TOF) eine höhere Genauigkeit bei der 3D-Erkennung und bei Entfernungsmesssystemen. Die VCSEL-Technologie ist in den vergangenen Jahren durch die Einführung von Laserlichtquellen für die räumliche Erkennung in Tablets und die Gesichtserkennung in Smartphones populär geworden. Mit der wachsenden Verbreitung von fahrerlosen Transportfahrzeugen (Automated Guided Vehicles, AGVs) und industriellen Inspektionssystemen mit Gesten- und Hinderniserkennung wird eine steigende Nachfrage nach VCSEL erwartet.
  • UAES und ROHM eröffnen gemeinsames Laboratorium für SiC-Technologie
    ROHM und United Automotive Electronic Systems Co., Ltd (UAES), ein chinesischer Tier-1-Automobilhersteller, eröffnen ein gemeinsames Labor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) am Hauptsitz von UAES in Shanghai, China.
  • ROHM stellt neuen Zwei-Kanal-Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker der EMARMOURTM-Serie vor
    ROHM kündigt mit dem BD77502FVM einen Zwei-Kanal-Hochgeschwindigkeits-CMOS-Operationsverstärker mit Masse-Erkennung an. Der neue IC ist für Verbraucher- und Industrieanwendungen optimiert, die eine Hochgeschwindigkeits-Abtastung erfordern, wie zum Beispiel industrielle Mess- und Steuergeräte. .
  • ROHMs neue EEPROM BR24H-5AC-Serie für Temperaturen von bis zu 125 °C verkürzt Schreib- und Lieferzeiten
    ROHM kündigt mit der BR24H-5AC Serie I2C-Bus-EEPROMs für den Betrieb im Temperaturbereich von bis zu 125 °C an. Die neuen Speicherbausteine sind die ideale Lösung für Anwendungen, die eine Datenspeicherung unter rauen Umgebungsbedingungen erfordern. Dazu gehören zum Beispiel die Werkseinstellungen für Onboard-Kameras und -Sensoren, die Betriebsdaten von Airbags und die Datenprotokollierung von ständig in Betrieb befindlichen industriellen Automatisierungssystemen und Servern.
  • OHM erweitert Miniatur-PICOLEDTM-Serie: Strom-sparende Infrarot-LED für VR/MR/AR-Anwendungen
    ROHM stellt unter der Bezeichnung CSL1501RW eine ultrakompakte seitlich abstrahlende Infrarot-LED vor. Das neue Bauelement ist ideal für Head-Mounted-Displays, Industrie-Headsets und VR/MR/AR- (xR, Extended Reality) Spielekonsolen.
  • ROHM bietet P-Kanal-MOSFETs der fünften Generation mit branchenweit niedrigstem Einschaltwiderstand
    Breite Palette von 24 Modellen mit Spannungsfestigkeiten von –40 V/–60 V
  • Neues ROHM-Gebäude in Chikugo: Erweiterung der Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter
    ROHM hat die Fertigstellung eines neuen Gebäudes in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo bekannt gegeben. Das Unternehmen steigert damit die Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter.
  • ROHM Semiconductor Europe beruft Wolfram Harnack zum neuen President
    ROHM Semiconductor Europe ernennt Wolfram Harnack mit Wirkung zum 01. April 2021 zum neuen President des Unternehmens. Der bisherige President, Herr Toshimitsu Suzuki, wird ab dem 1. April als General Manager die European Sales Division vom Hauptsitz des Unternehmens in Japan aus leiten. Wolfram Harnack kam im Oktober 2020 als Geschäftsführer zur ROHM Semiconductor Europe GmbH.
  • 32-Bit-D/A-Wandler-IC für Hi-Fi-Audio-Equipment
    ROHMs weiterentwickelter DAC-Chip der MUS-ICTM-Serie ermöglicht ausdrucksstarke Wiedergabe klassischer Musik
  • Neue weiße Chip-LEDs: Hohe Lichtstärke von 2,0 cd in ultrakompakter 1608er Größe (metrisch)
    Verbessertes Design für mehr Platzersparnis in batteriebetriebenen Anwendungen wie IoT-Geräten und Drohnen
  • ROHMs neue 600-V-IGBT-IPMs liefern branchenführend niedriges Rauschen bei geringem Leistungsverlust
    BM6437x-Serie reduziert Stromaufnahme und Designaufwand in kompakten Industrieanlagen und Haushaltsgeräten
  • ROHM erweitert Produktportfolio: Niederohmige Shunt-Widerstände für miniaturisierte Hochleistungsanwendungen
    ROHM entwickelt niederohmigen Chip-Widerstand der GMR320-Serie (10 W) und erhöht bei den extrem niederohmigen Widerständen der PSR-Serie die Nennleistung auf 15 W
  • ROHM erzielt mit hoher Gate-Durchbruchspannung von 8 V technologischen Durchbruch bei 150 V GaN HEMTs
    Problemlösung der Gate-Durchbruchspannung von GaN-Bauelementen senkt Stromverbrauch und ermöglicht weitere Miniaturisierung von Stromversorgungen für Basisstationen und Rechenzentren
  • Analog & Power: Stromverbrauch weiter verbessern
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