Wafer-Kapazitäten steigen schnell: 36 neue Fabs

Im kommenden Jahr werden 36 neue Fabs die Produktion aufnehmen und die Fertigungskapazität der Halbleiterindustrie auf ein neues Allzeithoch bringen.

Strategic Marketing Associates (SMA) schätzt, dass die im kommenden Jahr hinzu kommenden Kapazität 17 Prozent der derzeitigen weltweiten Gesamtkapazität entspricht. Dieser ungewöhnlich starke Anstieg könnte zu Überkapazitäten führen, insbesondere im Speichermarkt. »Ich verfolge die Waferproduktion seit 20 Jahren, und ich habe noch kein Jahr wie 2007 erlebt«, kommentiert George Burns, President von SMA. Allein die neuen Fabs, die im nächsten Jahr die Fertigung aufnehmen, können pro Jahr mehr als 180 Acres (1 Acre = 4047 qm) an Silizium produzieren.

Bis zum Ende des Jahres beginnen die Hersteller mit dem Bau von 36 neuen Fabs, 25 davon sind 300-mm-Produktionen, von denen 20 die Stückzahlfertigung im kommenden Jahr aufnehmen.

Wenn die 36 neuen Fabs voll ausgerüstet sind, was in zwei bis drei Jahren der Fall sein wird, repräsentieren sie einen Wert von 59 Mrd. Dollar. Davon fließen 44 Mrd. Dollar in neue Fabs, die in Japan, Taiwan und China entstehen.

64 Prozent der neuen Kapazitäten werden laut SMA für die Fertigung von DRAMs und Flash-Speichern genutzt. Die Kapazität für DRAMs steigt 2007 voraussichtlich um 53 Prozent, die Kapazität für Flash-Speicher um 40 Prozent. Betrachtet man den Zeitraum seit 2001, so werden die DRAM-Hersteller bis Ende 2007 neue Kapazitäten geschaffen haben, die 2 Mio. 8-Zoll-Äqivalenten pro Monat entsprechen.

Auch die Investitionen in neue Foundry-Kapazitäten ist in diesem Jahr deutlich nach oben gesprungen: Von 3,8 Mrd. Dollar 2005 auf 11 Mrd. Dollar. Firmen wie TSMC, SMIC und Hua Hong haben mit dem Bau neuer 300-mm-Fabs begonnen, die die Foundry-Kapazität 2007 insgesamt um 12 Prozent wachsen lassen. SMA schätzt, dass das Investment in neue Fabs 2006 um 15 Prozent auf 54 Mrd. Dollar steigt, 48 Prozent davon tätigen Unternehmen, die im Asiatisch-Pazifischen Raum beheimatet sind.