Vishay: Neue TrenchFET-Power-MOSFETs

Die Hochleistungs-MOSFETs mit TrenchFET-Siliziumtechnologie von Siliconix kommen im 3 mm x 3 mm großen PowerPAK-Gehäuse und sind für Automotive-Anwendungen konzipiert.

Vishay Intertechnology bringt eine neue Serie von TrenchFET-Power-MOSFETs auf den Markt, die AEC-Q101-qualifiziert sind. Sie werden im PowerPAK-1212-8-Gehäuse geliefert und sind für eine Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius angelegt.
  
Der n-Kanal-SQ7414EN bietet einen On-Widerstand von 25 Milliohm, der p-Kanal-SQ7415EN einen On-Widerstand von 65 Milliohms. Die MOSFETs sind die derzeit kleinsten auf dem Markt, die für Hochleistungsanwendungen in Automotive-Umgebungen wie Motorantrieb, Engine-Controller und Transmission-Controller geeignet sind.

Die neuen Bauteile sind als Muster und in Produktionsstückzahlen verfügbar. Bei einer Abnahme von 100.000 Stück beginnen die Preise bei 0,40 Dollar.