Damit erhöht Samsung die Geschwindigkeit im Vergleich zur GDDR4-Ausführung, die das Unternehmen im Oktober vorgestellt hatte. Dieser kommt auf einen Datendurchsatz von 10 GByte/s. Der neue 512-MBit-Baustein basiert auf einer Fertigungsgeometrie von 80 nm und nutzt 32 I/O-Pins.