elektroniknet News Aktuelle Meldungen aus dem elektroniknet de http://www.elektroniknet.de. Thu, 24 May 2012 18:24:40 GMT Turbo CAN Transceiver Texas Instruments hat eine neue Familie von Turbo CAN Transceivern für industrielle CAN-Netze entwickelt, die Datenraten von mehr als 1 MBit/s ermöglichen. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88526/ 2012-05-24 10:04:15 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88526/ SAR-A/D-Wandler erstmals mit SPICE-Modell Texas Instruments hat einen SAR-A/D-Wandler mit herunterladbarem TINA-TI SPICE-Modell vorgestellt, mit dem Systementwickler erstmals die vollständige analoge Signalkette in der Software simulieren und charakterisieren können. Das Modell ist für den neuen ADS8028 mit 12-Bit, 1 MSPS und 8 Kanälen verfügbar. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88524/ 2012-05-24 09:48:40 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88524/ Einsatz von 6-in-1 IGBT-Modulen verbessert Betriebsverhalten von Antrieben Mitsubishi Electrics 6-in-1 IGBT-Module, die mit einem neuen Chipset sowie neuer Freilaufdiode ausgestattet sind, zeigen gegenüber Vorgängermodulen ein deutlich besseres Verhalten in Bezug auf den Kompromiss zwischen Schaltverlusten und dU/dt. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/leistungshalbleiter/article/88521/ 2012-05-24 08:48:53 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/leistungshalbleiter/article/88521/ ARM-Hype – wiederholt sich die Geschichte? Im Mikrocontroller-Bereich nur von einem »ARM-Hype« zu sprechen, erscheint mir mittlerweile schon fast als Understatement. Fast jeder der Mikrocontroller-Hersteller ist auf den ARM-Zug aufgesprungen. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/news/article/88516/ 2012-05-23 16:58:01 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/news/article/88516/ MOSFET-Generation für höhere Leistungsdichte Höhere Leistungen und Leistungsdichten, Miniaturisierung oder höhere Ausgangsströme bei unverändertem Bauvolumen – alles Punkte auf der Wunschliste der Entwickler. Und die neuesten MOSFET-Generationen von Infineon mit 40-V- bzw. 60-V-Sperrspannung erfüllen diese Wünsche. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/leistungshalbleiter/article/88514/ 2012-05-23 16:44:55 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/leistungshalbleiter/article/88514/ Der Core von ARM, die Fertigung von TSMC – lauter Me-too-Controller? Controller-Hersteller und Distributoren diskutierten zum Teil hitzig darüber, wie es den verschiedenen Herstellern gelingt, ihre Produkte zu differenzieren. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/news/article/88512/ 2012-05-23 16:25:54 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/news/article/88512/ Neue Treiberarchitektur ermöglicht bessere LED-Leistung Der steigende Einsatz von LEDs in den verschiedensten Bereichen der Unterhaltungselektronik sowie die Weiterentwicklungen der LED-Technologie sind im wahren Sinne des Wortes offensichtlich. Vielfach vernachlässigt hingegen, zumal für den Laien unsichtbar, ist die LED-Treiberentwicklung. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88511/ 2012-05-23 16:11:24 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88511/ Stepdown auf 1,8 V mit 90+ Prozent Wirkungsgrad Enpirion schreibt Geschichte: Dank der Umsetzung eines neuen Wandlerkonzepts in Verbindung mit verlustarmen LDMOS-FETs und Ferriten erreichen die Module bisher unerreichte Leistungswerte. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88509/ 2012-05-23 16:03:50 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/produkte/analoge-bauelemente/article/88509/ Sensoren für das richtige Licht Integrierte Farbsensoren, die bereits vorverstärkte oder gar digitalisierte Ergebnisse liefern, sind sehr komfortabel und preislich interessant. Allerdings gibt es Einschränkungen bezüglich der Genauigkeit durch die verwendete Technik oder die Umgebung beim Messaufbau. Nach einer generellen Einführung in die Farberkennung werden diese Problemfelder im Detail qualitativ beschrieben. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/technik-know-how/mikrosystemtechnik/article/88500/ 2012-05-23 11:47:48 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/technik-know-how/mikrosystemtechnik/article/88500/ Samsung startet Volumenfertigung des 20-nm-Speichers Die koreanische Samsung Electronics hat die Produktion des »Mobile LPDDR2 Memory« aufgenommen, des industrieweit ersten 4-GBit-DRAM-Speicherbausteins auf Basis der 20-nm-Klasse-Technologie. http://www.elektroniknet.de/bauelemente/news/article/88499/ 2012-05-23 11:40:01 http://www.elektroniknet.de/bauelemente/news/article/88499/