RFMD weitet GaAs-PA-Kapazität um 40 Prozent aus

Der US-amerikanische Halbleiterhersteller RFMD wird seine Fertigungskapazität für Funkchips um rund 40 Prozent ausbauen. Hierzu investiert das Unternehmen rund 80 Mio. US-Dollar.

RFMD will mit dieser Maßnahme seine führende Position im Marktsegment HF-Leistungsstufen für Handys ausbauen. Von der Kapazitätserweiterung verspricht sich RFMD aber auch Kosteneinsparungen.

RFMD stellt vor allem ICs her, die HF-Leistungstransistoren (HBT und pHEMT) auf GaAs-Basis enthalten. Diese sind eine Schlüsseltechnologie für die Endstufe (PA) von Funksendern wie sie in Mobiltelefonen vorkommen. RFMD rechnet sowohl mit weiterem Wachstum in diesem Markt als auch mit einem wachsenden eigenen Marktanteil.

Ein weiterer die Nachfrage treibender Umstand ist die zunehmende Notwendigkeit, mehrere Endstufen in einem Endgerät einzubauen, weil 3G-Handys mehrmodig sein müssen. Marktforscher gehen davon aus, dass die Anzahl verkaufter Handys sich sowohl in diesem als auch im kommenden Jahr auf dann 200 Mio. verdoppeln wird. Und schließlich ist auch damit zu rechnen, dass immer mehr mobile Geräte WLAN-fähig sein müssen, was weiteren Bedarf an HF-Endstufen nach sich zieht.

Die jetzt eingeleitete Erweiterung ist die fünfte in der 15-jährigen Unternehmensgeschichte. Sie dürfte etwa 300 neue Arbeitsplätze schaffen, ihre Serienproduktion soll Ende 2006 anlaufen. Die vierte Erweiterung fand erst vor einem Jahr statt. In diesem ersten Geschäftsquartal (31.12.) setzte RFMD 150,4 Mio. US-Dollar um. Der Umsatz wuchs im Jahresverlauf und erreichte im vierten Quartal eine Höhe von 208 Mio. US-Dollar.

Bob Bruggeworth, President und CEO von RFMD sieht die Erweiterung denn auch vor allem als strategische Investition. »Wir sind dank Belieferung unserer zwei größten Kunden Weltmarktführer für Sendermodule in Mobiltelefonen und wollen diese Position ausbauen.«