RF-CMOS-Programm für Kommunikationstechnologien

X-FAB Silicon Foundries erweitert sein Technologieportfolio im Bereich Kommunikationstechnologie. Das neue RF-CMOS-Programm soll zu kürzeren Entwicklungszeiten für HF-Produkte führen.

Das zweistufige Programm umfasst den neu eingeführten XH035-RF-CMOS-Prozess, der einen kostengünstigen, einfachen Zugang zu Bibliothekselementen für ISM-Band- und ZigBee-Anwendungen ermöglicht, sowie einen 0,18-µm-RF-CMOS-Prozess, der im Laufe des ersten Halbjahres 2007 zur Verfügung stehen wird und verschiedene modulare Optionen inklusive Non-Volatile-Memory-Lösungen und High-Voltage-Funktionalität bietet.

X-FABs neuer XH035 RF-CMOS-Prozess bietet einen einfachen Zugang zum weltweit genutzten ISM-2,4-GHz-Frequenzband (ISM: Industrial, Scientific and Medical) sowie zu ZigBee-Anwendungen für Produkte, die den 2,4-GHz-Bereich des Radiowellenspektrums nutzen. Der neue Prozess erlaubt es, den 0,35-µm-Basis-Prozess beliebig mit existierenden Modulen wie X-FABs High-Voltage- und Non-Volatile-Memory-Modulen zu kombinieren. Der neue XH035-RF-CMOS-Prozess bietet u.a. Induktoren, Varaktoren, MIM-Kapazitäten und RF-MOS-Transistoren an und ist zusammen mit verschiedenen Versionen digitaler Bibliotheken erhältlich, inklusive einer 3,3-V-Standardbibliothek und einer isolierten 3,3-V-Variante. X-FAB stellt kostengünstige Prototypenlösungen wie Multi-Project Wafer (MPW) Runs und Multi-Layer-Masken (MLM) zur Verfügung, wobei durch das Aufbringen von vier Belichtungsebenen auf einer Maske die Kosten pro Maske bis zu 25 Prozent reduziert werden können.